| 提要 | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-41页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.2 IVB族和VB族过渡金属硫化物结构和性质 | 第9-17页 |
| 1.2.1 IVB族和VB族过渡金属硫化物的结构 | 第9-14页 |
| 1.2.2 IVB族和VB族过渡金属硫化物的性质和应用 | 第14-17页 |
| 1.3 IVB族和VB族过渡金属硫化物材料的合成 | 第17-27页 |
| 1.3.1 元素直接合成法 | 第18-20页 |
| 1.3.2 化学气相沉积 | 第20-22页 |
| 1.3.3 气-固复分解反应 | 第22-26页 |
| 1.3.4 液相溶剂热方法 | 第26-27页 |
| 1.4 IVB族和VB族过渡金属硫化物纳米材料的合成 | 第27-35页 |
| 1.4.1 纳米科技简介 | 第27-29页 |
| 1.4.2 IVB族和VB族过渡金属硫化物低维纳米材料的合成 | 第29-33页 |
| 1.4.3 IVB族和VB族过渡金属硫化物一维纳米阵列的合成 | 第33-35页 |
| 1.5 稀土金属硫化物的结构和合成 | 第35-39页 |
| 1.5.1 稀土金属硫化物的结构 | 第35-36页 |
| 1.5.2 稀土金属硫化物的合成 | 第36-39页 |
| 1.6 本课题的选题目的、意义和主要结果 | 第39-40页 |
| 1.7 本论文涉及的主要仪器 | 第40-41页 |
| 第二章 一维过渡金属硫化物纳米带合成 | 第41-63页 |
| 2.1 引言 | 第41-42页 |
| 2.2 IVB族金属硫化物纳米带的合成 | 第42-54页 |
| 2.2.1 实验部分 | 第42-43页 |
| 2.2.2 结果与讨论 | 第43-47页 |
| 2.2.3 反应机理和反应参数的影响 | 第47-50页 |
| 2.2.4 拉曼光谱 | 第50-54页 |
| 2.3 VB族金属硫化物纳米带的合成 | 第54-61页 |
| 2.3.1 实验部分 | 第54页 |
| 2.3.2 结果与讨论 | 第54-57页 |
| 2.3.3 反应参数选择 | 第57-58页 |
| 2.3.4 拉曼光谱 | 第58-61页 |
| 2.4 本章小结 | 第61-63页 |
| 第三章 硫化铌一维纳米线阵列的合成 | 第63-82页 |
| 3.1 引言 | 第63-64页 |
| 3.2 三硫化铌NbS_3纳米线阵列的合成 | 第64-71页 |
| 3.2.1 实验部分 | 第64-65页 |
| 3.2.2 结果表征 | 第65-68页 |
| 3.2.3 反应参数对实验的影响 | 第68-70页 |
| 3.2.4 反应机理讨论 | 第70-71页 |
| 3.3 二硫化铌NbS_2纳米线阵列的合成 | 第71-75页 |
| 3.3.1 实验部分 | 第71-72页 |
| 3.3.2 结果表征 | 第72-75页 |
| 3.4 二硫化铌NbS_2薄层的合成 | 第75-81页 |
| 3.4.1 实验部分 | 第75-76页 |
| 3.4.2 结果表征 | 第76-78页 |
| 3.4.3 反应参数对产物的影响 | 第78-79页 |
| 3.4.4 机械摩擦的作用 | 第79-81页 |
| 3.5 本章小结 | 第81-82页 |
| 第四章 金属硫化物的高温高压合成 | 第82-98页 |
| 4.1 引言 | 第82-83页 |
| 4.2 TiS_3纳米带块材的高温高压合成 | 第83-93页 |
| 4.2.1 实验部分 | 第83-84页 |
| 4.2.2 结果表征 | 第84-88页 |
| 4.2.3 反应条件对产物的影响 | 第88-93页 |
| 4.3 稀土金属硫化物Nd_2S_3的高温高压合成 | 第93-97页 |
| 4.3.1 实验部分 | 第93页 |
| 4.3.2 结果表征 | 第93-97页 |
| 4.4 本章小结 | 第97-98页 |
| 第五章 结论与展望 | 第98-100页 |
| 参考文献 | 第100-117页 |
| 致谢 | 第117-118页 |
| 作者简历 | 第118-119页 |
| 攻读博士学位期间发表论文 | 第119-120页 |
| 中文摘要 | 第120-125页 |
| Abstract | 第125-129页 |
