| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-15页 |
| 第1章 绪论 | 第15-39页 |
| ·引言 | 第15-16页 |
| ·微机电系统中的纳动问题 | 第16-26页 |
| ·微机电系统概述 | 第16-20页 |
| ·微机电系统的应用 | 第17-18页 |
| ·微机电系统的典型材料 | 第18-20页 |
| ·纳动的实例 | 第20-26页 |
| ·MEMS中的纳动 | 第20-23页 |
| ·MEMS中的微观磨损 | 第23-26页 |
| ·纳动的研究进展 | 第26-34页 |
| ·径向纳动的研究进展 | 第26-29页 |
| ·切向纳动的研究进展 | 第29-34页 |
| ·单晶硅/二氧化硅摩擦副的纳动分区和纳动损伤 | 第29-32页 |
| ·镍钛合金/金刚石摩擦副切向纳动的运行和损伤特性 | 第32-34页 |
| ·切向纳动既有研究的局限 | 第34-36页 |
| ·选题意义及内容 | 第36-39页 |
| ·选题意义 | 第36页 |
| ·研究方案和内容 | 第36-39页 |
| 第2章 实验材料和研究方法 | 第39-51页 |
| ·实验材料 | 第39-40页 |
| ·实验设备和方法 | 第40-45页 |
| ·纳动的实现 | 第40-43页 |
| ·纳动的实验条件 | 第40-42页 |
| ·纳动与微动实验条件的异同 | 第42-43页 |
| ·纳动过程中力信号的检测 | 第43-44页 |
| ·纳动损伤的表征 | 第44-45页 |
| ·摩擦力的标定 | 第45-51页 |
| ·用于摩擦力标定的楔形光栅和悬臂梁 | 第46-47页 |
| ·探针弹性常数标定 | 第47-48页 |
| ·摩擦力的标定 | 第48-50页 |
| ·小结 | 第50-51页 |
| 第3章 单晶硅(100)/金刚石摩擦副的切向纳动研究 | 第51-65页 |
| ·单晶硅(100)/金刚石切向纳动的运行行为 | 第51-55页 |
| ·切向力-位移-循环次数(F_t-d-N)三维动态曲线 | 第51-53页 |
| ·切向力随纳动循环次数的变化(F_t-d曲线) | 第53-54页 |
| ·载荷对纳动分区的影响 | 第54-55页 |
| ·单晶硅(100)/金刚石切向纳动的损伤特性 | 第55-58页 |
| ·单晶硅(100)的纳动损伤机理讨论 | 第58-63页 |
| ·纳动损伤模式的多样化 | 第58-62页 |
| ·在大气和真空下纳动损伤的差异 | 第62-63页 |
| ·本章小结 | 第63-65页 |
| 第4章 单晶硅(100)/二氧化硅摩擦副的切向纳动研究 | 第65-82页 |
| ·Si(100)/SiO_2的纳动分区 | 第65-69页 |
| ·针尖半径和载荷对纳动分区的影响 | 第65-67页 |
| ·粘着力对纳动分区的影响 | 第67-69页 |
| ·Si(100)/SiO_2配副在真空环境下的切向纳动运行行为 | 第69-72页 |
| ·切向力-位移-循环次数(F_t-d-N)三维动态曲线 | 第69-70页 |
| ·切向力随纳动循环次数的变化曲线(F_t-N曲线) | 第70-72页 |
| ·Si(100)/SiO_2配副在真空环境下切向纳动的损伤特性 | 第72-77页 |
| ·位移幅值和针尖半径对单晶硅纳动损伤的影响 | 第72-74页 |
| ·循环次数对单晶硅纳动损伤的影响 | 第74-75页 |
| ·单晶硅表面隆起的形成机制 | 第75-76页 |
| ·SiO2针尖的纳动损伤特性 | 第76-77页 |
| ·Si(100)/SiO_2在真空和大气环境下切向纳动运行和损伤的差异 | 第77-80页 |
| ·Si(100)/SiO_2在真空和大气下纳动运行行为的差异 | 第78-79页 |
| ·Si(100)/SiO_2在真空和大气下纳动损伤的差异 | 第79-80页 |
| ·本章小结 | 第80-82页 |
| 第5章 表面亲/疏水性对单晶硅(100)/二氧化硅摩擦副的切向纳动的影响 | 第82-98页 |
| ·表面亲/疏水性对Si(100)/SiO_2摩擦配副间粘着力的影响 | 第82-86页 |
| ·表面亲/疏水性对Si(100)/SiO_2纳动前的初始粘着力的影响 | 第82-85页 |
| ·表面亲/疏水性对Si(100)/SiO_2纳动后的粘着力变化的影响 | 第85-86页 |
| ·表面亲/疏水性对Si(100)/SiO_2纳动运行和分区的影响 | 第86-89页 |
| ·表面亲/疏水性对Si(100)/SiO_2纳动运行的影响 | 第86-88页 |
| ·表面亲/疏水性对Si(100)/SiO_2纳动分区的影响 | 第88-89页 |
| ·表面亲/疏水性对Si(100)/SiO_2纳动中的摩擦力的影响 | 第89-93页 |
| ·表面亲/疏水性对Si(100)/SiO_2纳动的初始摩擦力的影响 | 第89-91页 |
| ·表面亲/疏水性对Si(100)/SiO_2纳动运行过程中摩擦力变化的影响 | 第91-93页 |
| ·表面亲/疏水性对Si(100)/SiO_2纳动损伤的影响 | 第93-97页 |
| ·表面亲/疏水性对单晶硅纳动损伤的影响 | 第93-95页 |
| ·真空和大气下的单晶硅的纳动损伤机理 | 第95-97页 |
| ·本章小结 | 第97-98页 |
| 第6章 单晶硅(100)/二氧化硅摩擦副的纳动磨损机理 | 第98-117页 |
| ·Si(100)/SiO_2纳动磨损的主导因素 | 第99-101页 |
| ·影响Si(100)/SiO_2纳动磨损的主要因素 | 第101-108页 |
| ·环境气氛对Si(100)/SiO_2纳动磨损的影响 | 第101-102页 |
| ·水分子对Si(100)/SiO_2纳动磨损的影响 | 第102-105页 |
| ·摩擦配副对Si(100)纳动磨损的影响 | 第105-106页 |
| ·接触压力和剪切应力对Si(100)/SiO_2纳动磨损的影响 | 第106-108页 |
| ·Si(100)/SiO_2摩擦副摩擦化学诱导的纳动磨损机理 | 第108-115页 |
| ·水分子对摩擦化学反应的贡献 | 第108-109页 |
| ·SiO_2针尖对摩擦化学反应的贡献 | 第109-111页 |
| ·机械作用对摩擦化学反应的贡献 | 第111页 |
| ·Si(100)/SiO_2的摩擦化学诱导的纳动磨损过程 | 第111-115页 |
| ·本章小结 | 第115-117页 |
| 结论与展望 | 第117-120页 |
| 致谢 | 第120-121页 |
| 参考文献 | 第121-130页 |
| 攻读博士学位期间的学术成果 | 第130-133页 |
