| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 课题研究的背景和意义 | 第10-16页 |
| 1.1.1 单晶硅纳米结构的应用 | 第10-13页 |
| 1.1.2 制备单晶硅纳米结构的方法 | 第13-16页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第16-18页 |
| 1.3 本文的主要研究内容 | 第18-19页 |
| 第2章 金属辅助化学腐蚀法（MaCE）的机理 | 第19-30页 |
| 2.1 引言 | 第19页 |
| 2.2 金属辅助化学腐蚀法的机理 | 第19-22页 |
| 2.3 单晶硅纳米结构制备调控参数 | 第22-26页 |
| 2.4 外电场对金属辅助化学腐蚀法的影响 | 第26-29页 |
| 2.5 本章小结 | 第29-30页 |
| 第3章 外电场下MaCE法制备硅纳米结构实验 | 第30-42页 |
| 3.1 引言 | 第30页 |
| 3.2 外电场下金属辅助化学腐蚀法 | 第30页 |
| 3.3 实验准备 | 第30-32页 |
| 3.3.1 实验仪器 | 第30-31页 |
| 3.3.2 单晶硅硅片预处理 | 第31-32页 |
| 3.4 外电场对MaCE法制备单晶硅纳米结构的影响实验 | 第32-35页 |
| 3.5 电场强度对纳米结构形貌特征和腐蚀速度的影响实验 | 第35-41页 |
| 3.6 本章小结 | 第41-42页 |
| 第4章 外电场下MaCE法的工艺研究 | 第42-50页 |
| 4.1 引言 | 第42页 |
| 4.2 外电场控制模型 | 第42-44页 |
| 4.3 晶向和氧化剂浓度对外电场控制模型制备过程的影响 | 第44-46页 |
| 4.3.1 晶向对外电场控制模型的影响 | 第44-45页 |
| 4.3.2 氧化剂浓度对外电场控制模型的影响 | 第45-46页 |
| 4.4 外电场控制模型的应用和意义 | 第46-49页 |
| 4.5 本章小结 | 第49-50页 |
| 第5章 总结与展望 | 第50-52页 |
| 5.1 本文的主要结论 | 第50-51页 |
| 5.2 未来研究建议 | 第51-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-59页 |
| 附录 | 第59页 |
