| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 研究背景 | 第10-11页 |
| 1.2 化学机械研磨概述 | 第11-14页 |
| 1.3 分子模拟的两大类方法 | 第14-16页 |
| 1.3.1 蒙特卡洛（MC）方法 | 第14-15页 |
| 1.3.2 分子动力学（MD）方法 | 第15-16页 |
| 1.4 本论文的研究意义 | 第16-17页 |
| 第2章 理论基础 | 第17-26页 |
| 2.1 分子动力学方法概述 | 第17-18页 |
| 2.2 分子动力学方法的原理及步骤 | 第18-20页 |
| 2.3 势函数 | 第20-23页 |
| 2.4 边界条件 | 第23页 |
| 2.5 时间积分算法 | 第23-24页 |
| 2.6 分子动力学模拟的系综 | 第24-26页 |
| 第3章 单质 Si 和 Cu 模拟计算的参数设定 | 第26-34页 |
| 3.1 模拟计算 Si/Cu 异质界面结构的计算软件的选取 | 第26-27页 |
| 3.2 模拟计算 Si/Cu 异质界面结构的计算硬件搭建 | 第27页 |
| 3.3 单质 Si 和 Cu 的结构参数计算与优化 | 第27-34页 |
| 3.3.1 单质 Si 和 Cu 的分子动力学模拟 | 第27-28页 |
| 3.3.2 单质 Si 和 Cu 的晶体结构及力学常数优化 | 第28-30页 |
| 3.3.3 势函数及其参数的选择 | 第30-34页 |
| 第4章 异质界面 Si/Cu 的分子动力学模拟 | 第34-52页 |
| 4.1 异质界面分子动力学参数的确定 | 第34-37页 |
| 4.2 分子动力学模拟异质界面的下压过程 | 第37-52页 |
| 4.2.1 不同角度下压异质界面 Si/Cu 的延展长度 | 第38-41页 |
| 4.2.2 下压后异质界面 Si/Cu 的原子应力 | 第41-46页 |
| 4.2.3 不同角度下压异质界面 Si/Cu 的径向分布函数 | 第46-52页 |
| 第5章 结论 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-59页 |
| 攻读硕士学位期间的科研成果 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60页 |
