| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第10-30页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 磁光材料研究现状及应用 | 第11-15页 |
| 1.2.1 磁光材料研究现状 | 第11-13页 |
| 1.2.2 磁光材料的主要应用 | 第13-15页 |
| 1.3 掺杂钇铁石榴石磁光薄膜的研究现状 | 第15-20页 |
| 1.3.1 钇铁石榴石磁光薄膜的研究 | 第15-16页 |
| 1.3.2 铈（Ce）掺杂石榴石薄膜特点及研究进展 | 第16-18页 |
| 1.3.3 铋（Bi）掺杂石榴石薄膜的研究进展 | 第18-20页 |
| 1.4 石榴石薄膜制备技术的进展 | 第20-26页 |
| 1.4.1 液相外延法 | 第20-21页 |
| 1.4.2 化学气相沉积法 | 第21-23页 |
| 1.4.3 溅射沉积法 | 第23-24页 |
| 1.4.4 脉冲激光沉积法 | 第24-26页 |
| 1.5 光隔离器用磁光薄膜的研究现状及存在的问题 | 第26-28页 |
| 1.5.1 磁光薄膜的特性问题 | 第26页 |
| 1.5.2 磁光薄膜制备工艺问题 | 第26-28页 |
| 1.6 本文研究目的和内容 | 第28-30页 |
| 第2章 试验材料与方法 | 第30-37页 |
| 2.1 试验材料 | 第30页 |
| 2.2 靶材制备 | 第30-32页 |
| 2.3 薄膜制备 | 第32-34页 |
| 2.3.1 薄膜结构设计 | 第32页 |
| 2.3.2 脉冲激光沉积工艺 | 第32-33页 |
| 2.3.3 薄膜退火工艺 | 第33-34页 |
| 2.4 薄膜的组织结构表征方法 | 第34-35页 |
| 2.4.1 靶材及薄膜物相分析 | 第34页 |
| 2.4.2 薄膜化学成分及元素价态分析 | 第34页 |
| 2.4.3 薄膜表面形貌和组织结构 | 第34-35页 |
| 2.5 薄膜性能测试 | 第35-37页 |
| 2.5.1 室温磁性能测试 | 第35-36页 |
| 2.5.2 磁光性能测试 | 第36页 |
| 2.5.3 光学性能测试 | 第36-37页 |
| 第3章 脉冲激光沉积Ce:YIG多层薄膜 | 第37-64页 |
| 3.1 引言 | 第37页 |
| 3.2 单层Y_3Fe_5O_(12) (YIG) 薄膜的制备与表征 | 第37-39页 |
| 3.3 制备工艺对Ce:YIG/YIG两层薄膜组织性能的影响 | 第39-52页 |
| 3.3.1 沉积温度对Ce:YIG/YIG/Si两层薄膜微观组织结构的影响 | 第39-44页 |
| 3.3.2 沉积温度对YIG/Ce:YIG/Si两层薄膜微观组织结构的影响 | 第44-49页 |
| 3.3.3 退火温度对Ce:YIG/YIG/Si两层薄膜结构影响 | 第49-51页 |
| 3.3.4 退火时间对Ce:YIG/YIG/Si两层薄膜结构影响 | 第51-52页 |
| 3.4 不同结构设计对Ce:YIG/YIG两层薄膜微观组织及性能的影响 | 第52-62页 |
| 3.4.1 层厚比例对薄膜微观组织及性能的影响 | 第52-59页 |
| 3.4.2 沉积次序对薄膜微观组织及性能的影响 | 第59-62页 |
| 3.5 本章小结 | 第62-64页 |
| 第4章 脉冲激光沉积Bi:YIG多层薄膜 | 第64-97页 |
| 4.1 引言 | 第64页 |
| 4.2 制备工艺对Bi:YIG/YIG两层薄膜微观组织结构的影响 | 第64-78页 |
| 4.2.1 沉积温度对Bi:YIG/YIG/Si两层薄膜微观组织结构的影响 | 第64-70页 |
| 4.2.2 沉积温度对YIG/Bi:YIG/Si两层薄膜微观组织结构的影响 | 第70-74页 |
| 4.2.3 沉积方式对Bi:YIG/YIG/Si两层薄膜微观组织结构的影响 | 第74-78页 |
| 4.3 不同结构设计对Bi:YIG/YIG两层薄膜微观组织及性能的影响 | 第78-88页 |
| 4.3.1 层厚比例对薄膜微观组织及性能的影响 | 第78-82页 |
| 4.3.2 沉积次序对薄膜微观组织及性能的影响 | 第82-88页 |
| 4.4 Ce:YIG/Bi:YIG复合薄膜的制备及其组织性能 | 第88-92页 |
| 4.4.1 Ce:YIG/Bi:YIG复合薄膜的物相结构及化学成分 | 第89-90页 |
| 4.4.2 Ce:YIG/Bi:YIG复合薄膜的表面形貌 | 第90-91页 |
| 4.4.3 Ce:YIG/Bi:YIG复合薄膜的室温磁性能 | 第91页 |
| 4.4.4 Ce:YIG/Bi:YIG复合薄膜的光透过率 | 第91-92页 |
| 4.5 Ce:YIG/YIG/Si及Bi:YIG/YIG/Si薄膜的组织及性能对比 | 第92-95页 |
| 4.5.1 Ce:YIG/YIG/Si及Bi:YIG/YIG/Si薄膜的物相结构对比分析 | 第92-93页 |
| 4.5.2 Ce:YIG/YIG/Si及Bi:YIG/YIG/Si薄膜的表面形貌对比分析 | 第93-94页 |
| 4.5.3 Ce:YIG/YIG/Si及Bi:YIG/YIG/Si薄膜的室温磁性能对比分析 | 第94页 |
| 4.5.4 Ce:YIG/YIG/Si及Bi:YIG/YIG/Si薄膜的光透过率对比分析 | 第94-95页 |
| 4.6 本章小结 | 第95-97页 |
| 结论 | 第97-98页 |
| 参考文献 | 第98-103页 |
| 致谢 | 第103页 |
