| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-14页 |
| 1.1 自旋电子学 | 第10-11页 |
| 1.2 稀磁半导体 | 第11页 |
| 1.3 IV-VI族的化合物简介 | 第11-12页 |
| 1.4 研究背景及选题思路 | 第12-14页 |
| 第2章 基本理论和VASP软件简介 | 第14-24页 |
| 2.1 第一性原理计算 | 第14页 |
| 2.2 密度泛函理论（DFT） | 第14-18页 |
| 2.2.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第14-15页 |
| 2.2.2 Kohn-Sham方程 | 第15-17页 |
| 2.2.3 局域密度近似（LDA） | 第17-18页 |
| 2.2.4 广义梯度近似（GGA） | 第18页 |
| 2.3 能带计算方法 | 第18-22页 |
| 2.3.1 正交化平面波方法 | 第18-21页 |
| 2.3.2 缀加平面波（APW）方法 | 第21页 |
| 2.3.3 赝势方法 | 第21-22页 |
| 2.4 VASP软件介绍 | 第22-24页 |
| 第3章 过渡族金属掺杂对单层SnS磁性的影响 | 第24-56页 |
| 3.1 模型的构建和计算方法 | 第24-25页 |
| 3.2 单层SnS的计算结果及分析 | 第25-26页 |
| 3.3 采用GGA方法计算替代掺杂单层SnS体系的结果及分析 | 第26-41页 |
| 3.3.1 替代掺杂单层SnS的几何结构、电子结构和磁性 | 第26-39页 |
| 3.3.2 磁耦合 | 第39-41页 |
| 3.4 采用GGA+U方法计算替代掺杂单层SnS体系的结果及分析 | 第41-54页 |
| 3.4.1 替代掺杂单层SnS的几何结构、电子结构和磁性 | 第41-53页 |
| 3.4.2 磁耦合 | 第53-54页 |
| 3.5 本章小结 | 第54-56页 |
| 第4章 结论与展望 | 第56-58页 |
| 4.1 结论 | 第56页 |
| 4.2 展望 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 致谢 | 第62页 |
