高浓度氧检测的TiO2传感器制备
| 中文摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第1章 绪论 | 第8-15页 |
| 1.1 课题研究背景及研究意义 | 第8-9页 |
| 1.2 气体传感器概述 | 第9-11页 |
| 1.2.1 气体传感器检测方法与分类 | 第9-10页 |
| 1.2.2 金属氧化物半导体气体传感器 | 第10-11页 |
| 1.3 TiO_2材料简介及应用 | 第11-12页 |
| 1.3.1 TiO_2材料简介 | 第11-12页 |
| 1.3.2 TiO_2薄膜材料的应用 | 第12页 |
| 1.4 TiO_2氧传感器的研究现状及发展趋势 | 第12-14页 |
| 1.4.1 国外研究现状及发展趋势 | 第13页 |
| 1.4.2 国内研究现状及发展趋势 | 第13-14页 |
| 1.5 论文研究的主要内容 | 第14页 |
| 1.6 本章小结 | 第14-15页 |
| 第2章 传感器敏感机理与结构原理 | 第15-21页 |
| 2.1 半导体传感器件气敏原理 | 第15-16页 |
| 2.2 缺陷对敏感材料的影响 | 第16-17页 |
| 2.2.1 点缺陷 | 第16页 |
| 2.2.2 线缺陷、面缺陷和体缺陷 | 第16-17页 |
| 2.3 掺杂对敏感材料的影响 | 第17-18页 |
| 2.4 气体吸附理论 | 第18-20页 |
| 2.5 本章小结 | 第20-21页 |
| 第3章 传感器芯片设计和结构 | 第21-26页 |
| 3.1 传感器芯片的结构 | 第21页 |
| 3.2 叉指电极的设计 | 第21-23页 |
| 3.3 传感器芯片的基本制作流程 | 第23-25页 |
| 3.4 本章小结 | 第25-26页 |
| 第4章 TiO_2薄膜制备与材料表征 | 第26-38页 |
| 4.1 传感器薄膜的制备方法 | 第26-27页 |
| 4.1.1 物理气相沉积法（PVD） | 第26页 |
| 4.1.2 化学气相沉积法（CVD） | 第26-27页 |
| 4.1.3 溶胶凝胶法（sol-gel） | 第27页 |
| 4.2 磁控溅射法制备的薄膜 | 第27-32页 |
| 4.2.1 实验所需材料与设备 | 第27-28页 |
| 4.2.2 TiO_2气敏薄膜的制备的参数选择 | 第28-30页 |
| 4.2.3 溅射实验过程 | 第30-31页 |
| 4.2.4 TiO_2薄膜芯片的退火处理 | 第31-32页 |
| 4.3 TiO_2薄膜的表征 | 第32-36页 |
| 4.3.1 X射线衍射分析（XRD） | 第32-35页 |
| 4.3.2 原子力显微镜分析（AFM） | 第35-36页 |
| 4.4 本章小结 | 第36-38页 |
| 第5章 传感器的性能测试及气敏材料表征 | 第38-48页 |
| 5.1 气敏测试环境 | 第38-39页 |
| 5.2 装置的连接与测试方法 | 第39-40页 |
| 5.3 传感器性能测试 | 第40-47页 |
| 5.3.1 退火温度测试 | 第41-42页 |
| 5.3.2 元素掺杂测试 | 第42-44页 |
| 5.3.3 掺杂量测试 | 第44-45页 |
| 5.3.4 工作温度的测试 | 第45-47页 |
| 5.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 结论 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-57页 |
| 致谢 | 第57页 |
