首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--基本电子电路论文--放大技术、放大器论文--放大器论文--低噪声放大器论文

硅基毫米波低噪声放大器和混频器的研究与设计

摘要第5-6页
ABSTRACT第6-7页
第一章 绪论第10-20页
    1.1 毫米波集成电路研究背景第10-12页
        1.1.1 毫米波的特点及应用第10-11页
        1.1.2 硅基毫米波电路的兴起及优势第11-12页
        1.1.3 硅基毫米波低噪声放大器和混频器的研究意义第12页
    1.2 研究现状第12-19页
        1.2.1 硅基毫米波接收机的研究现状第12-16页
        1.2.2 接收机前端低噪声放大器的研究现状第16-18页
        1.2.3 接收机前端混频器的研究现状第18-19页
    1.3 论文主要内容及结构第19-20页
第二章 接收机前端基本理论第20-38页
    2.1 接收机前端简介及架构分析第20-21页
        2.1.1 超外差式接收机第20页
        2.1.2 零中频接收机第20-21页
        2.1.3 低中频接收机第21页
    2.2 接收机前端低噪声放大器和混频器基础第21-30页
        2.2.1 低噪声放大器基础第21-26页
        2.2.2 混频器基础第26-30页
    2.3 60GHz接收机架构及链路计算第30-34页
        2.3.1 60GHz接收机前端架构第30-31页
        2.3.2 60GHz接收机前端链路仿真第31-34页
    2.4 280GHz接收机架构及链路计算第34-37页
        2.4.1 280GHz接收机前端架构第34页
        2.4.2 280GHz接收机前端链路仿真第34-37页
    2.5 本章小结第37-38页
第三章 60GHz宽带低噪声放大器的设计第38-48页
    3.1 SMIC 40nm CMOS工艺介绍第38-39页
    3.2 无源器件的仿真设计第39-43页
        3.2.1 电磁仿真软件的简介第39-40页
        3.2.2 片上无源变压器的设计第40-42页
        3.2.3 传输线的仿真设计第42-43页
    3.3 电路设计第43-45页
        3.3.1 性能指标第43页
        3.3.2 电路拓扑结构第43页
        3.3.3 第一级电路分析第43-45页
        3.3.4 第二、三级电路分析第45页
    3.4 版图和后仿真结果第45-46页
    3.5 性能对比第46-47页
    3.6 本章小结第47-48页
第四章 280GHz混频器的设计第48-55页
    4.1 Global Foundries 65nm CMOS工艺的介绍第48页
    4.2 下变频方法第48-49页
    4.3 电路设计第49-52页
        4.3.1 性能指标第49页
        4.3.2 电路拓扑结构第49页
        4.3.3 模型分析第49-51页
        4.3.4 电路各参数的设定第51-52页
        4.3.5 匹配网络的设计第52页
    4.4 版图设计和仿真结果第52-53页
    4.5 性能对比第53-54页
    4.6 本章小结第54-55页
第五章 总结与展望第55-57页
    5.1 总结第55-56页
    5.2 展望第56-57页
参考文献第57-62页
致谢第62-63页
附录第63页

论文共63页,点击 下载论文
上一篇:基于超高频RFID的实验室管理及防盗系统的设计与实现
下一篇:改进的萤火虫算法及在阵列天线中的应用