InSb薄膜溅射生长及其光电特性研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第9-24页 |
| 1.1 课题的研究背景 | 第9-14页 |
| 1.1.1 红外探测器的发现 | 第9页 |
| 1.1.2 红外探测器的分类 | 第9-10页 |
| 1.1.3 主要材料分类 | 第10-12页 |
| 1.1.4 非晶态半导体的特殊性质 | 第12-14页 |
| 1.2 InSb的主要物性 | 第14-19页 |
| 1.2.1 InSb的晶体结构 | 第15页 |
| 1.2.2 InSb的缺陷 | 第15-16页 |
| 1.2.3 InSb的光学特性 | 第16-18页 |
| 1.2.4 InSb的电学特性 | 第18-19页 |
| 1.3 InSb薄膜的主要制备技术 | 第19-21页 |
| 1.3.1 分子束外延 | 第20页 |
| 1.3.2 金属有机气相沉积 | 第20页 |
| 1.3.3 磁控溅射技术 | 第20-21页 |
| 1.4 研究现状 | 第21-23页 |
| 1.4.1 国内研究现状 | 第21-22页 |
| 1.4.2 国外研究现状 | 第22-23页 |
| 1.5 本文的主要研究内容 | 第23-24页 |
| 第2章 样品制备及测试方法 | 第24-29页 |
| 2.1 薄膜的制备 | 第24页 |
| 2.1.1 硅衬底的预处理 | 第24页 |
| 2.1.2 磁控溅射生长薄膜 | 第24页 |
| 2.2 薄膜的测试方法 | 第24-29页 |
| 2.2.1 X射线衍射（XRD） | 第24-26页 |
| 2.2.2 原子力显微镜（AFM）观测 | 第26页 |
| 2.2.3 扫描电子显微镜（SEM）观测 | 第26-27页 |
| 2.2.4 傅立叶红外光谱仪 | 第27-28页 |
| 2.2.5 霍尔效应测试仪 | 第28-29页 |
| 第3章 InSb薄膜溅射生长工艺窗口的优化 | 第29-45页 |
| 3.1 引言 | 第29页 |
| 3.2 衬底的选择 | 第29-30页 |
| 3.3 薄膜生长工艺窗口的优化 | 第30-43页 |
| 3.3.1 硅衬底上生长InSb薄膜的可行性分析 | 第30-33页 |
| 3.3.2 不同工艺参数对薄膜相成分的影响 | 第33-37页 |
| 3.3.3 不同工艺参数对薄膜表面形貌的影响 | 第37-43页 |
| 3.4 本章小结 | 第43-45页 |
| 第4章 多晶InSb薄膜光电特性的研究 | 第45-56页 |
| 4.1 引言 | 第45页 |
| 4.2 多晶InSb薄膜的光学性能研究 | 第45-51页 |
| 4.2.1 红外透射谱的光谱测试 | 第45页 |
| 4.2.2 透射光谱的包络法处理结果 | 第45-51页 |
| 4.3 多晶InSb薄膜的电学性能研究 | 第51-54页 |
| 4.3.1 实验过程 | 第51页 |
| 4.3.2 实验结果与分析 | 第51-54页 |
| 4.4 本章小结 | 第54-56页 |
| 第5章 非晶InSb薄膜光电特性的研究 | 第56-72页 |
| 5.1 引言 | 第56页 |
| 5.2 非晶InSb薄膜的光学性能研究 | 第56-59页 |
| 5.2.1 样品的制备及选取原则 | 第56-57页 |
| 5.2.2 红外透射光谱的包络法处理结果 | 第57-59页 |
| 5.3 非晶InSb薄膜的电学特性研究 | 第59-70页 |
| 5.3.1 跳跃电导模型 | 第59-61页 |
| 5.3.2 变温霍尔效应实验结果与分析 | 第61-70页 |
| 5.4 本章小结 | 第70-72页 |
| 结论 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-80页 |
| 致谢 | 第80-81页 |
| 附录 | 第81-82页 |
