银包二氧化硅粉体的制备及性能研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第10-23页 |
| 1.1 课题的背景及研究的目的和意义 | 第10-11页 |
| 1.2 国内外电子浆料的研究现状及分析 | 第11-13页 |
| 1.2.1 国外电子浆料的研究现状 | 第11-12页 |
| 1.2.2 国内电子浆料研究现状 | 第12-13页 |
| 1.3 二氧化硅的制备方法 | 第13-15页 |
| 1.3.1 物理方法 | 第13页 |
| 1.3.2 化学方法 | 第13-15页 |
| 1.4 复合粉体的制备 | 第15-18页 |
| 1.4.1 机械化学法 | 第16页 |
| 1.4.2 化学气相沉积 | 第16页 |
| 1.4.3 化学镀 | 第16-17页 |
| 1.4.4 沉淀法 | 第17页 |
| 1.4.5 溶胶凝胶法 | 第17-18页 |
| 1.5 化学镀银的研究现状 | 第18-21页 |
| 1.5.1 银包金属粉体 | 第18-19页 |
| 1.5.2 银包高分子粉体 | 第19页 |
| 1.5.3 银包无机非金属粉体 | 第19-21页 |
| 1.6 本论文的主要研究内容 | 第21-23页 |
| 第2章 实验内容与方法 | 第23-28页 |
| 2.1 实验试剂和设备 | 第23-24页 |
| 2.2 样品的制备方法和步骤 | 第24-26页 |
| 2.2.1 二氧化硅粉体的制备 | 第24-25页 |
| 2.2.2 二氧化硅的表面改性 | 第25页 |
| 2.2.3 银包二氧化硅粉体的制备 | 第25-26页 |
| 2.3 测试和表征 | 第26-28页 |
| 2.3.1 场发射扫描电子显微镜(SEM) | 第26页 |
| 2.3.2 X射线粉末衍射(XRD) | 第26页 |
| 2.3.3 X射线能谱仪(EDS) | 第26页 |
| 2.3.4 激光粒度测试 | 第26页 |
| 2.3.5 FT-IR红外光谱测试 | 第26-27页 |
| 2.3.6 X射线光电子能谱分析(XPS) | 第27页 |
| 2.3.7 透射电子显微镜(TEM) | 第27页 |
| 2.3.8 银包二氧化硅浆料导电性能测试 | 第27-28页 |
| 第3章 二氧化硅粉体的制备研究 | 第28-43页 |
| 3.1 引言 | 第28页 |
| 3.2 溶胶凝胶法制备二氧化硅微球的机理 | 第28-29页 |
| 3.3 反应条件对二氧化硅微球的影响 | 第29-39页 |
| 3.3.1 氨水用量的影响 | 第29-31页 |
| 3.3.2 水的用量的影响 | 第31-34页 |
| 3.3.3 乙醇用量的影响 | 第34-36页 |
| 3.3.4 正硅酸乙酯用量的影响 | 第36-38页 |
| 3.3.5 不同盐类的影响 | 第38-39页 |
| 3.4 微米二氧化硅的制备和表征 | 第39-41页 |
| 3.5 本章小结 | 第41-43页 |
| 第4章 银包二氧化硅粉体的制备及性能研究 | 第43-69页 |
| 4.1 引言 | 第43页 |
| 4.2 二氧化硅的表面改性 | 第43-48页 |
| 4.2.1 表面改性的原理 | 第43-44页 |
| 4.2.2 巯基化二氧化硅的分析表征 | 第44-46页 |
| 4.2.3 改性剂用量的对包覆影响 | 第46-48页 |
| 4.3 银包二氧化硅的分析表征 | 第48-52页 |
| 4.3.1 银包二氧化硅的形貌和结构表征 | 第48-50页 |
| 4.3.2 银包二氧化硅的物相成分分析 | 第50-52页 |
| 4.4 化学镀银工艺的研究 | 第52-67页 |
| 4.4.1 还原剂的影响 | 第52-56页 |
| 4.4.2 络合剂的影响 | 第56-60页 |
| 4.4.3 氢氧化钠浓度的影响 | 第60-62页 |
| 4.4.4 硝酸银浓度的影响 | 第62-64页 |
| 4.4.5 银含量的影响 | 第64-66页 |
| 4.4.6 二氧化硅粒径的影响 | 第66-67页 |
| 4.5 本章小结 | 第67-69页 |
| 结论 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-79页 |
| 致谢 | 第79页 |
