| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 主要符号对照表 | 第9-11页 |
| 第1章 引言 | 第11-37页 |
| 1.1 有机场效应晶体管的基本结构、工作原理和研究状况 | 第11-17页 |
| 1.1.1 发展概述 | 第11-12页 |
| 1.1.2 有机场效应晶体管的基本结构 | 第12-13页 |
| 1.1.3 有机场效应晶体管的工作原理 | 第13-16页 |
| 1.1.4 有机场效应晶体管发展中的问题 | 第16-17页 |
| 1.2 有机半导体单晶制备 | 第17-21页 |
| 1.2.1 晶体和有机晶体的基本性质 | 第17页 |
| 1.2.2 气相法生长有机单晶及其场效应晶体管制备研究进展 | 第17-19页 |
| 1.2.3 溶液法制备有机单晶 | 第19-21页 |
| 1.3 溶液法制备有机半导体晶态薄膜 | 第21-34页 |
| 1.3.1 溶液法制备有机晶态薄膜的半导体材料 | 第22-25页 |
| 1.3.2 溶液法控制生长有机晶态薄膜的主要研究进展 | 第25-32页 |
| 1.3.3 溶液法在产业化中的制备温度问题 | 第32-34页 |
| 1.4 溶液法制备有机晶态薄膜面临的问题 | 第34-35页 |
| 1.5 论文的研究思路与主要内容 | 第35-37页 |
| 第2章 实验方法与技术 | 第37-48页 |
| 2.1 试剂与仪器 | 第37-39页 |
| 2.1.1 主要试剂 | 第37-38页 |
| 2.1.2 主要测试仪器 | 第38-39页 |
| 2.2 薄膜的性质表征 | 第39-43页 |
| 2.2.1 原子力显微镜研究有机半导体薄膜的表面形貌 | 第39-40页 |
| 2.2.2 薄膜的面内与面外X射线衍射表征 | 第40-42页 |
| 2.2.3 薄膜的偏光显微镜测试 | 第42-43页 |
| 2.3 晶体管器件的制备与测试 | 第43-48页 |
| 2.3.1 晶体管器件的制备工艺 | 第43-44页 |
| 2.3.2 基片清洗工艺 | 第44-45页 |
| 2.3.3 基片表面修饰工艺 | 第45-46页 |
| 2.3.4 真空蒸镀制备金属电极 | 第46-47页 |
| 2.3.5 薄膜晶体管的性能测试 | 第47-48页 |
| 第3章 剪切拉膜法制备吲哚方酸晶态薄膜及其性质研究 | 第48-72页 |
| 3.1 研究背景 | 第48-50页 |
| 3.2 剪切拉膜法操作平台的建立 | 第50页 |
| 3.3 吲哚方酸材料的合成、量化计算与薄膜制备 | 第50-57页 |
| 3.3.1 吲哚方酸材料的合成 | 第50-51页 |
| 3.3.2 吲哚方酸材料的量化计算 | 第51-53页 |
| 3.3.3 基片的表面修饰与溶剂选择 | 第53-57页 |
| 3.4 吲哚方酸薄膜的结晶性与取向性研究 | 第57-63页 |
| 3.4.1 吲哚方酸薄膜的表面形貌 | 第57-58页 |
| 3.4.2 速率对薄膜结晶性和有序性的影响研究 | 第58-60页 |
| 3.4.3 温度对薄膜结晶性和有序性的影响研究 | 第60-61页 |
| 3.4.4 夹角对薄膜结晶性和有序性的影响研究 | 第61-63页 |
| 3.4.5 关于剪切拉膜法调控晶态薄膜制备的小结 | 第63页 |
| 3.5 基于吲哚方酸晶态薄膜的场效应特性及其光敏性研究 | 第63-71页 |
| 3.5.1 吲哚方酸薄膜的场效应特性研究 | 第63-65页 |
| 3.5.2 吲哚方酸薄膜的传输各向异性研究 | 第65-67页 |
| 3.5.3 吲哚方酸薄膜的光敏特性研究 | 第67-71页 |
| 3.6 本章小结 | 第71-72页 |
| 第4章 挥发控制法制备TIPS-PEN晶态薄膜及其性质研究 | 第72-99页 |
| 4.1 研究背景 | 第72-73页 |
| 4.2 挥发控制法 | 第73-76页 |
| 4.2.1 挥发控制法的设计思路 | 第73-76页 |
| 4.2.2 挥发控制法的实施过程 | 第76页 |
| 4.3 单一溶剂制备TIPS-PEN晶态薄膜及其性质研究 | 第76-89页 |
| 4.3.1 溶液的表面浸润性、浓度与晶态薄膜的生长 | 第76-82页 |
| 4.3.2 挥发控制法的机理研究 | 第82-83页 |
| 4.3.4 场效应晶体管的制备与性能研究 | 第83页 |
| 4.3.5 晶体管的光敏性和稳定性研究 | 第83-87页 |
| 4.3.6 晶体管的电存储特性研究 | 第87-89页 |
| 4.4 不良溶剂气氛辅助制备TIPS-PEN单晶薄膜及其性质研究 | 第89-98页 |
| 4.4.1 研究背景及实验过程 | 第89-92页 |
| 4.4.2 TIPS-PEN单晶薄膜的取向性研究 | 第92-94页 |
| 4.4.3 溶液浓度对于TIPS-PEN晶态薄膜的影响研究 | 第94-96页 |
| 4.4.4 基于TIPS-PEN单晶薄膜的晶体管器件性能研究 | 第96-98页 |
| 4.5 本章小结 | 第98-99页 |
| 第5章 马兰戈尼效应控制TIPS-PEN晶态薄膜制备及其性质研究 | 第99-116页 |
| 5.1 研究背景 | 第99-100页 |
| 5.2 马兰戈尼效应控制TIPS-PEN晶态薄膜生长 | 第100-108页 |
| 5.2.1 马兰戈尼效应介绍及其在晶态薄膜制备中的应用 | 第100-102页 |
| 5.2.2 马兰戈尼效应控制晶态薄膜制备的实验装置与实施步骤 | 第102-103页 |
| 5.2.3 TIPS-PEN晶态薄膜的表征 | 第103-105页 |
| 5.2.4 TIPS-PEN晶态薄膜的取向性研究 | 第105-108页 |
| 5.3 马兰戈尼效应控制晶态薄膜制备的生长机理研究 | 第108-112页 |
| 5.3.1 马兰戈尼效应控制晶态薄膜制备中溶剂种类的影响 | 第108-110页 |
| 5.3.2 马兰戈尼效应控制晶态薄膜制备中溶剂比例的影响 | 第110-112页 |
| 5.4 TIPS-PEN晶态薄膜的晶体管特性研究 | 第112-115页 |
| 5.4.1 TIPS-PEN晶态薄膜的厚度调控 | 第112页 |
| 5.4.2 TIPS-PEN晶态薄膜的晶体管特性研究 | 第112-115页 |
| 5.5 本章小结 | 第115-116页 |
| 结论 | 第116-119页 |
| 参考文献 | 第119-131页 |
| 致谢 | 第131-133页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第133-135页 |
