| 摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第13-28页 |
| 1.1 半导体光催化技术 | 第13-16页 |
| 1.1.1 研究现状 | 第13页 |
| 1.1.2 光催化机理 | 第13-14页 |
| 1.1.3 光催化剂半导体复合改性技术 | 第14-16页 |
| 1.2 气体传感器 | 第16-20页 |
| 1.2.1 研究现状 | 第16-17页 |
| 1.2.2 新型可见光响应气体传感器的探索 | 第17-18页 |
| 1.2.3 半导体气敏机理与光激发原理 | 第18-20页 |
| 1.3 硼酸盐材料 | 第20-21页 |
| 1.4 硼酸铜 | 第21-26页 |
| 1.4.1 硼酸铜的结构 | 第21-22页 |
| 1.4.2 硼酸铜的制备方法 | 第22-24页 |
| 1.4.3 硼酸铜的应用 | 第24-26页 |
| 1.5 论文的研究目的、意义及内容 | 第26-28页 |
| 1.5.1 研究背景与意义 | 第26页 |
| 1.5.2 研究思路与内容 | 第26-28页 |
| 第二章 试剂、仪器及测试方法 | 第28-33页 |
| 2.1 实验试剂 | 第28-29页 |
| 2.2 实验仪器 | 第29页 |
| 2.3 测试方法 | 第29-33页 |
| 2.3.1 X射线衍射（XRD） | 第29页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜（SEM） | 第29-30页 |
| 2.3.3 透射电子显微镜（TEM）和X射线能谱（EDX） | 第30页 |
| 2.3.4 热重-差热分析（TG-DTA） | 第30页 |
| 2.3.5 X射线电子能谱（XPS） | 第30-31页 |
| 2.3.6 紫外-可见光（UV-vis）光谱 | 第31页 |
| 2.3.7 比表面测定（BET） | 第31-32页 |
| 2.3.8 傅立叶红外变换（FT-IR） | 第32页 |
| 2.3.9 拉曼光谱（Raman） | 第32-33页 |
| 第三章 多种结构硼酸铜合成、改性及可见光催化性能 | 第33-52页 |
| 3.1 引言 | 第33-34页 |
| 3.2 实验部分 | 第34-36页 |
| 3.2.1 不同结构硼酸铜的合成 | 第34页 |
| 3.2.2 对亚甲基蓝的光催化降解 | 第34-36页 |
| 3.2.3 硼酸铜的改性 | 第36页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第36-50页 |
| 3.3.1 硼酸铜的合成工艺的优化 | 第36-41页 |
| 3.3.2 三种结构硼酸铜的物相及形貌分析 | 第41-43页 |
| 3.3.3 三种结构硼酸铜的光催化性能研究 | 第43-45页 |
| 3.3.4 Cu_3B_2O_6的改性 | 第45-50页 |
| 3.4 本章小结 | 第50-52页 |
| 第四章 硼酸铜/石墨烯复合材料的合成及其气敏性能研究 | 第52-66页 |
| 4.1 引言 | 第52-53页 |
| 4.2 实验部分 | 第53-56页 |
| 4.2.1 硼酸铜的合成 | 第53页 |
| 4.2.2 氧化石墨烯的合成 | 第53-54页 |
| 4.2.3 硼酸铜/石墨烯的合成 | 第54页 |
| 4.2.4 传感元件的制备 | 第54页 |
| 4.2.5 对NO_2气体的响应测试系统 | 第54-55页 |
| 4.2.6 数据处理方法 | 第55-56页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第56-65页 |
| 4.3.1 物相和形貌分析 | 第56-58页 |
| 4.3.2 价态分析 | 第58-60页 |
| 4.3.3 光响应 | 第60-61页 |
| 4.3.4 对NO_2的气敏性 | 第61-64页 |
| 4.3.5 对NO_2的气敏机理 | 第64-65页 |
| 4.4 本章小结 | 第65-66页 |
| 第五章 不同结构介孔硼酸铜的合成及结构表征 | 第66-74页 |
| 5.1 引言 | 第66页 |
| 5.2 实验部分 | 第66-67页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第67-73页 |
| 5.3.1 介孔硼酸铜的物相和形貌分析 | 第67-71页 |
| 5.3.2 介孔硼酸铜的孔结构分析 | 第71-73页 |
| 5.4 本章小结 | 第73-74页 |
| 第六章 总结与展望 | 第74-76页 |
| 6.1 论文总结 | 第74-75页 |
| 6.2 论文展望 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-89页 |
| 作者简历 | 第89-90页 |
| 致谢 | 第90页 |