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稀磁掺杂In2O3纳米线生长及性能研究

摘要第4-6页
Abstract第6-7页
第一章 绪论第10-25页
    1.1 稀磁半导体的发展第10-12页
    1.2 In_2O_3的基本性质第12-13页
    1.3 In_2O_3纳米结构概述第13-15页
    1.4 稀磁掺杂氧化铟的发展现状第15-18页
    1.5 稀磁半导体磁性产生机制研究现状第18-20页
    1.6 本文主要研究内容及章节安排第20-21页
    参考文献第21-25页
第二章 In_2O_3纳米线的制备和表征方法第25-32页
    2.1 氧化铟基稀磁半导体制备工艺概述第25-26页
    2.2 氧化铟纳米线的化学气相沉积平台制备概述第26-27页
    2.3 Fe掺杂In_2O_3纳米线生长第27-28页
    2.4 Nd掺杂In_2O_3纳米线生长第28-29页
    2.5 样品表征设备第29-31页
    参考文献第31-32页
第三章 Nd掺杂In_2O_3纳米线结构、成分及磁性研究第32-44页
    3.1 Nd掺杂In_2O_3纳米线形貌分析第32-34页
    3.2 Nd掺杂In_2O_3纳米线成分分析第34-36页
    3.3 Nd掺杂In_2O_3纳米线结构分析第36-38页
    3.4 Nd掺杂In_2O_3纳米线的磁学性质第38-41页
    3.5 本章小结第41-42页
    参考文献第42-44页
第四章 Fe掺杂In_2O_3纳米线结构、成分及磁性研究第44-54页
    4.1 Fe掺杂In_2O_3纳米线形貌分析第44页
    4.2 Fe掺杂In_2O_3纳米线成分结构分析第44-48页
    4.3 Fe掺杂In_2O_3纳米线电学测试第48-50页
    4.4 Fe掺杂In_2O_3纳米线磁学性质研究第50-51页
    4.5 本章小结第51-52页
    参考文献第52-54页
第五章 结论与展望第54-56页
    5.1 主要结论第54-55页
    5.2 研究展望第55-56页
攻读硕士期间学术成果第56-57页
致谢第57-58页

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