Ⅵ族元素掺杂黑硅材料及其性能的研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 黑硅的简介 | 第10页 |
| 1.2 黑硅的研究现状 | 第10-18页 |
| 1.3 黑硅的应用 | 第18-19页 |
| 1.4 本文的研究内容和意义 | 第19-20页 |
| 第二章 实验原理及方法 | 第20-30页 |
| 2.1 黑硅的制备方法 | 第20-22页 |
| 2.1.1 湿法化学刻蚀法制备黑硅 | 第20-21页 |
| 2.1.2 反应离子刻蚀制备黑硅 | 第21页 |
| 2.1.3 飞秒激光刻蚀制备黑硅 | 第21-22页 |
| 2.2 飞秒激光的刻蚀原理 | 第22-25页 |
| 2.2.1 飞秒激光与固体相互作用 | 第22-23页 |
| 2.2.2 飞秒激光与硅相互作用 | 第23-25页 |
| 2.3 测试设备及原理介绍 | 第25-29页 |
| 2.3.1 积分球光谱测试原理 | 第25-26页 |
| 2.3.2 光敏特性测试系统 | 第26-27页 |
| 2.3.3 扫描电子显微镜测试原理 | 第27页 |
| 2.3.4 霍尔效应测试原理 | 第27-29页 |
| 2.4 小结 | 第29-30页 |
| 第三章 VI族元素掺杂黑硅的制备及退火条件 | 第30-43页 |
| 3.1 VI族元素掺杂膜层的制备 | 第30-32页 |
| 3.1.1 衬底材料的选择及清洁 | 第30-31页 |
| 3.1.2 杂质膜层的蒸镀工艺 | 第31-32页 |
| 3.2 飞秒激光刻蚀黑硅工艺 | 第32-36页 |
| 3.2.1 飞秒激光光路搭建 | 第32-33页 |
| 3.2.2 刻蚀条件及方法 | 第33-36页 |
| 3.3 退火条件的选择 | 第36-39页 |
| 3.3.1 退火温度的选择 | 第36-38页 |
| 3.3.2 退火时间的选择 | 第38-39页 |
| 3.3.3 退火气氛的选择 | 第39页 |
| 3.4 电极的制备 | 第39-41页 |
| 3.4.1 金半接触原理及电极材料的选择 | 第39-41页 |
| 3.4.2 电极的制备 | 第41页 |
| 3.5 小结 | 第41-43页 |
| 第四章 掺杂黑硅光学性能的研究 | 第43-54页 |
| 4.1 样品的制备 | 第43-44页 |
| 4.2 退火条件 | 第44页 |
| 4.3 掺杂黑硅的形貌表征 | 第44-48页 |
| 4.3.1 Se掺杂黑硅的表面形貌 | 第45-46页 |
| 4.3.2 Te掺杂黑硅的表面形貌 | 第46-47页 |
| 4.3.3 规律及讨论 | 第47-48页 |
| 4.4 光吸收率的研究 | 第48-52页 |
| 4.4.1 Se掺杂黑硅的光吸收率 | 第49-50页 |
| 4.4.2 Te掺杂黑硅的光吸收率 | 第50-51页 |
| 4.4.3 规律及讨论 | 第51-52页 |
| 4.5 小结 | 第52-54页 |
| 第五章 掺杂黑硅电学性能的研究 | 第54-67页 |
| 5.1 电学性能测试的样品准备 | 第54-55页 |
| 5.2 n~+-n结的原理及特性 | 第55-56页 |
| 5.3 霍尔效应测试 | 第56-60页 |
| 5.3.1 Se掺杂黑硅的霍尔效应测试 | 第57-58页 |
| 5.3.2 Te掺杂黑硅的霍尔效应测试 | 第58-59页 |
| 5.3.3 规律及讨论 | 第59-60页 |
| 5.4 光敏特性的研究 | 第60-65页 |
| 5.4.1 Se掺杂黑硅的光敏特性 | 第60-62页 |
| 5.4.2 Te掺杂黑硅的光敏特性 | 第62-64页 |
| 5.4.3 规律及讨论 | 第64-65页 |
| 5.5 小结 | 第65-67页 |
| 第六章 总结与展望 | 第67-70页 |
| 6.1 总结 | 第67-68页 |
| 6.2 展望 | 第68-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-75页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第75-76页 |
