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射频磁控溅射法制备SnS2、Cu2SnS3薄膜及其器件研究

致谢第7-8页
摘要第8-9页
Abstract第9-10页
第一章 绪论第17-29页
    1.1 论文研究背景及意义第17-18页
    1.2 太阳能电池第18-22页
        1.2.1 太阳能电池的工作原理第18页
        1.2.2 太阳能电池的性能表征第18-20页
        1.2.3 太阳能电池的分类第20-22页
    1.3 结型光电探测器第22-25页
        1.3.1 基本概念及其分类第22-23页
        1.3.2 结型光电探测器的两种工作模式第23-25页
    1.4 pn结光电二极管第25-27页
        1.4.1 pn结光电二极管的结构原理第25页
        1.4.2 pn结光电二极管的特性参数第25-27页
    1.5 SnS_2和Cu_2SnS_3薄膜第27-28页
        1.5.1 SnS_2薄膜第27页
        1.5.2 Cu_2SnS_3薄膜第27-28页
    1.6 论文研究目的与内容第28-29页
第二章 薄膜制备设备及表征仪器第29-35页
    2.1 制备薄膜和器件所使用的仪器第29-31页
        2.1.1 磁控溅射沉积系统第29-30页
        2.1.2 快速退火系统第30-31页
    2.2 薄膜及其器件测试表征仪器第31-34页
        2.2.1 X射线衍射仪第31页
        2.2.2 拉曼光谱第31-32页
        2.2.3 扫描电子显微镜第32-33页
        2.2.4 原子力显微镜第33页
        2.2.5 紫外可见近红外分光光度计第33-34页
        2.2.6 半导体特征分析系统第34页
    2.3 本章小结第34-35页
第三章 射频磁控溅射法制备SnS_2薄膜第35-51页
    3.1 实验过程第35-36页
        3.1.1 靶材制备与基片清洗第35页
        3.1.2 SnS_2薄膜制备第35-36页
        3.1.3 实验使用设备和仪器第36页
    3.2 结果与讨论第36-50页
        3.2.1 样品的XRD第36-39页
        3.2.2 样品的拉曼光谱分析第39-42页
        3.2.3 SnS_2薄膜样品的组分分析第42-43页
        3.2.4 SnS_2薄膜样品的光学特性第43-50页
    3.3 本章小结第50-51页
第四章 射频磁控溅射法制备Cu_2SnS_3薄膜第51-66页
    4.1 实验过程及测试方法第51-52页
        4.1.1 靶材与基片第51页
        4.1.2 Cu_2SnS_3薄膜的制备第51-52页
        4.1.3 实验使用设备和仪器第52页
    4.2 结果与讨论第52-65页
        4.2.1 样品的XRD第52-56页
        4.2.2 Cu_2SnS_3薄膜的拉曼光谱分析第56-58页
        4.2.3 Cu_2SnS_3薄膜样品的组分分析第58-59页
        4.2.4 Cu_2SnS_3薄膜表面形貌分析第59-60页
        4.2.5 Cu_2SnS_3薄膜样品的光学特性第60-65页
    4.3 本章小结第65-66页
第五章 n-SnS_2/p-Si和p-Cu_2SnS_3/n-Si异质结器件的制备及其表征第66-80页
    5.1 n-SnS_2p-Si异质器件第66-73页
        5.1.1 引言第66页
        5.1.2 n-SnS_2/p-Si器件的制备第66-67页
        5.1.3 n-SnS_2/p-Si器件的I-V特性第67-69页
        5.1.4 n-SnS_2/p-Si器件的光响应第69-71页
        5.1.5 n-SnS_2/p-Si器件的参数提取第71-73页
    5.2 p-Cu_2SnS_3/n-Si异质结器件第73-78页
        5.2.1 引言第73-74页
        5.2.2 p-Cu_2SnS_3/n-Si器件的制备第74页
        5.2.3 p-Cu_2SnS_3/n-Si器件器件的光电特性第74-77页
        5.2.4 p-Cu_2SnS_3/n-Si器件参数提取第77-78页
    5.3 本章小结第78-80页
第六章 结论第80-81页
参考文献第81-89页
攻读硕士学位期间的学术活动及成果情况第89页

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