致谢 | 第7-8页 |
摘要 | 第8-9页 |
Abstract | 第9-10页 |
第一章 绪论 | 第17-29页 |
1.1 论文研究背景及意义 | 第17-18页 |
1.2 太阳能电池 | 第18-22页 |
1.2.1 太阳能电池的工作原理 | 第18页 |
1.2.2 太阳能电池的性能表征 | 第18-20页 |
1.2.3 太阳能电池的分类 | 第20-22页 |
1.3 结型光电探测器 | 第22-25页 |
1.3.1 基本概念及其分类 | 第22-23页 |
1.3.2 结型光电探测器的两种工作模式 | 第23-25页 |
1.4 pn结光电二极管 | 第25-27页 |
1.4.1 pn结光电二极管的结构原理 | 第25页 |
1.4.2 pn结光电二极管的特性参数 | 第25-27页 |
1.5 SnS_2和Cu_2SnS_3薄膜 | 第27-28页 |
1.5.1 SnS_2薄膜 | 第27页 |
1.5.2 Cu_2SnS_3薄膜 | 第27-28页 |
1.6 论文研究目的与内容 | 第28-29页 |
第二章 薄膜制备设备及表征仪器 | 第29-35页 |
2.1 制备薄膜和器件所使用的仪器 | 第29-31页 |
2.1.1 磁控溅射沉积系统 | 第29-30页 |
2.1.2 快速退火系统 | 第30-31页 |
2.2 薄膜及其器件测试表征仪器 | 第31-34页 |
2.2.1 X射线衍射仪 | 第31页 |
2.2.2 拉曼光谱 | 第31-32页 |
2.2.3 扫描电子显微镜 | 第32-33页 |
2.2.4 原子力显微镜 | 第33页 |
2.2.5 紫外可见近红外分光光度计 | 第33-34页 |
2.2.6 半导体特征分析系统 | 第34页 |
2.3 本章小结 | 第34-35页 |
第三章 射频磁控溅射法制备SnS_2薄膜 | 第35-51页 |
3.1 实验过程 | 第35-36页 |
3.1.1 靶材制备与基片清洗 | 第35页 |
3.1.2 SnS_2薄膜制备 | 第35-36页 |
3.1.3 实验使用设备和仪器 | 第36页 |
3.2 结果与讨论 | 第36-50页 |
3.2.1 样品的XRD | 第36-39页 |
3.2.2 样品的拉曼光谱分析 | 第39-42页 |
3.2.3 SnS_2薄膜样品的组分分析 | 第42-43页 |
3.2.4 SnS_2薄膜样品的光学特性 | 第43-50页 |
3.3 本章小结 | 第50-51页 |
第四章 射频磁控溅射法制备Cu_2SnS_3薄膜 | 第51-66页 |
4.1 实验过程及测试方法 | 第51-52页 |
4.1.1 靶材与基片 | 第51页 |
4.1.2 Cu_2SnS_3薄膜的制备 | 第51-52页 |
4.1.3 实验使用设备和仪器 | 第52页 |
4.2 结果与讨论 | 第52-65页 |
4.2.1 样品的XRD | 第52-56页 |
4.2.2 Cu_2SnS_3薄膜的拉曼光谱分析 | 第56-58页 |
4.2.3 Cu_2SnS_3薄膜样品的组分分析 | 第58-59页 |
4.2.4 Cu_2SnS_3薄膜表面形貌分析 | 第59-60页 |
4.2.5 Cu_2SnS_3薄膜样品的光学特性 | 第60-65页 |
4.3 本章小结 | 第65-66页 |
第五章 n-SnS_2/p-Si和p-Cu_2SnS_3/n-Si异质结器件的制备及其表征 | 第66-80页 |
5.1 n-SnS_2p-Si异质器件 | 第66-73页 |
5.1.1 引言 | 第66页 |
5.1.2 n-SnS_2/p-Si器件的制备 | 第66-67页 |
5.1.3 n-SnS_2/p-Si器件的I-V特性 | 第67-69页 |
5.1.4 n-SnS_2/p-Si器件的光响应 | 第69-71页 |
5.1.5 n-SnS_2/p-Si器件的参数提取 | 第71-73页 |
5.2 p-Cu_2SnS_3/n-Si异质结器件 | 第73-78页 |
5.2.1 引言 | 第73-74页 |
5.2.2 p-Cu_2SnS_3/n-Si器件的制备 | 第74页 |
5.2.3 p-Cu_2SnS_3/n-Si器件器件的光电特性 | 第74-77页 |
5.2.4 p-Cu_2SnS_3/n-Si器件参数提取 | 第77-78页 |
5.3 本章小结 | 第78-80页 |
第六章 结论 | 第80-81页 |
参考文献 | 第81-89页 |
攻读硕士学位期间的学术活动及成果情况 | 第89页 |