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高纯三甲基锑的制备与研究

中文摘要第4-5页
Abstract第5页
第一章 文献综述第8-16页
    1.1 背景介绍第8-13页
        1.1.1 半导体简介第8页
        1.1.2 P型半导体和N型半导体介绍第8-9页
        1.1.3 半导体薄膜制造技术简介第9页
        1.1.4 MOCVD技术简介第9-10页
        1.1.5 MO源背景及相关技术简介第10-12页
        1.1.6 MO源的研究方法第12页
        1.1.7 MO源的市场状况第12-13页
        1.1.8 三甲基锑(TMSb)简介第13页
    1.2 现有技术分析第13-14页
    1.3 论文的目的和意义第14-16页
第二章 实验原料、仪器及分析方法第16-25页
    2.1 实验原料、仪器及检测仪器第16-19页
    2.2 部分实验仪器的校正第19-22页
        2.2.1 温度传感器的校正第20页
        2.2.2 电子压力传感器的校正第20-21页
        2.2.3 电子称的校正第21-22页
    2.3 实验所需的技术条件第22-23页
    2.4 各原料、中间产物及产品杂质检测方法第23-25页
        2.4.1 核磁共振检测方法第23-24页
        2.4.2 ICP-OES检测法第24-25页
第三章 三甲基锑粗品的制备第25-41页
    3.1 前言第25页
    3.2 合成路线的选择第25页
    3.3 合成原料及仪器的净化第25-31页
        3.3.1 实验仪器的高标准清洗第25-27页
        3.3.2 合成原料的选择和提纯第27-31页
    3.4 三甲基锑的合成第31-41页
        3.4.1 格氏试剂的合成第32-34页
        3.4.2 三甲基锑的合成第34-35页
        3.4.3 乙醚溶剂的分离第35-36页
        3.4.4 粗品分离第36-39页
        3.4.5 产率计算第39-40页
        3.4.6 粗品制备小结第40-41页
第四章 三甲基锑粗品的纯化第41-52页
    4.1 MO源纯化方法第41-43页
    4.2 TMSb的纯化第43-48页
        4.2.1 常压简单蒸馏第43-44页
        4.2.2 常压精馏第44-46页
        4.2.3 减压精馏第46页
        4.2.4 先减压精馏,再常压精馏第46-48页
    4.3 TMSb精馏各馏分的1H NMR和ICP-OES检测报告第48-51页
        4.3.1 TMSb低沸点馏分检测报告第48-49页
        4.3.2 TMSb中间馏分检测报告第49-50页
        4.3.3 TMSb精馏釜残检测报告第50-51页
    4.4 重复实验第51页
    4.5 纯化实验成功机理分析第51-52页
第五章 全文总结第52-54页
    5.1 全文总结第52-53页
    5.2 论文的创新点第53页
    5.3 高纯TMSb制备实验的展望第53-54页
参考文献第54-56页
攻读学位期间公开发表的论文第56-57页
致谢第57-58页

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