中文摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5页 |
第一章 文献综述 | 第8-16页 |
1.1 背景介绍 | 第8-13页 |
1.1.1 半导体简介 | 第8页 |
1.1.2 P型半导体和N型半导体介绍 | 第8-9页 |
1.1.3 半导体薄膜制造技术简介 | 第9页 |
1.1.4 MOCVD技术简介 | 第9-10页 |
1.1.5 MO源背景及相关技术简介 | 第10-12页 |
1.1.6 MO源的研究方法 | 第12页 |
1.1.7 MO源的市场状况 | 第12-13页 |
1.1.8 三甲基锑(TMSb)简介 | 第13页 |
1.2 现有技术分析 | 第13-14页 |
1.3 论文的目的和意义 | 第14-16页 |
第二章 实验原料、仪器及分析方法 | 第16-25页 |
2.1 实验原料、仪器及检测仪器 | 第16-19页 |
2.2 部分实验仪器的校正 | 第19-22页 |
2.2.1 温度传感器的校正 | 第20页 |
2.2.2 电子压力传感器的校正 | 第20-21页 |
2.2.3 电子称的校正 | 第21-22页 |
2.3 实验所需的技术条件 | 第22-23页 |
2.4 各原料、中间产物及产品杂质检测方法 | 第23-25页 |
2.4.1 核磁共振检测方法 | 第23-24页 |
2.4.2 ICP-OES检测法 | 第24-25页 |
第三章 三甲基锑粗品的制备 | 第25-41页 |
3.1 前言 | 第25页 |
3.2 合成路线的选择 | 第25页 |
3.3 合成原料及仪器的净化 | 第25-31页 |
3.3.1 实验仪器的高标准清洗 | 第25-27页 |
3.3.2 合成原料的选择和提纯 | 第27-31页 |
3.4 三甲基锑的合成 | 第31-41页 |
3.4.1 格氏试剂的合成 | 第32-34页 |
3.4.2 三甲基锑的合成 | 第34-35页 |
3.4.3 乙醚溶剂的分离 | 第35-36页 |
3.4.4 粗品分离 | 第36-39页 |
3.4.5 产率计算 | 第39-40页 |
3.4.6 粗品制备小结 | 第40-41页 |
第四章 三甲基锑粗品的纯化 | 第41-52页 |
4.1 MO源纯化方法 | 第41-43页 |
4.2 TMSb的纯化 | 第43-48页 |
4.2.1 常压简单蒸馏 | 第43-44页 |
4.2.2 常压精馏 | 第44-46页 |
4.2.3 减压精馏 | 第46页 |
4.2.4 先减压精馏,再常压精馏 | 第46-48页 |
4.3 TMSb精馏各馏分的1H NMR和ICP-OES检测报告 | 第48-51页 |
4.3.1 TMSb低沸点馏分检测报告 | 第48-49页 |
4.3.2 TMSb中间馏分检测报告 | 第49-50页 |
4.3.3 TMSb精馏釜残检测报告 | 第50-51页 |
4.4 重复实验 | 第51页 |
4.5 纯化实验成功机理分析 | 第51-52页 |
第五章 全文总结 | 第52-54页 |
5.1 全文总结 | 第52-53页 |
5.2 论文的创新点 | 第53页 |
5.3 高纯TMSb制备实验的展望 | 第53-54页 |
参考文献 | 第54-56页 |
攻读学位期间公开发表的论文 | 第56-57页 |
致谢 | 第57-58页 |