| 摘要 | 第1-15页 |
| Abstract | 第15-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-28页 |
| ·选题依据和研究意义 | 第17-18页 |
| ·模式控制的研究现状 | 第18-24页 |
| ·过模SWSs的色散和场分布特性 | 第18-19页 |
| ·过模SWSs的功率容量特性 | 第19-20页 |
| ·过模SWSs的束波作用特性 | 第20-22页 |
| ·过模O型Cerenkov器件模式控制研究 | 第22-24页 |
| ·HPM领域的金属高频结构射频击穿研究现状 | 第24-27页 |
| ·实验规律认识 | 第24-25页 |
| ·物理机制认识 | 第25-26页 |
| ·提高击穿阈值的方法 | 第26-27页 |
| ·论文研究内容 | 第27-28页 |
| 第二章 过模SWSs的频带重叠和表面波特性 | 第28-40页 |
| ·任意形状周期式SWSs的色散求解的改进 | 第28-33页 |
| ·不需要傅立叶级数近似的任意形状SWSs的色散方程推导 | 第28-30页 |
| ·过模SWSs的色散求解的数值处理 | 第30-31页 |
| ·典型SWSs的色散求解 | 第31-33页 |
| ·过模SWSs内的TM_(0n)模式的频带重叠 | 第33-35页 |
| ·过模慢波结构内的表面波 | 第35-38页 |
| ·对称与非对称表面波 | 第35-36页 |
| ·形成表面波的条件 | 第36-38页 |
| ·小结 | 第38-40页 |
| 第三章 过模SWSs内的束波作用特性 | 第40-48页 |
| ·周期式SWSs内热腔色散方程的推导 | 第40-46页 |
| ·热腔SWSs内场分布函数的推导 | 第40-43页 |
| ·热腔SWSs内边界条件的分类讨论 | 第43-45页 |
| ·任意形状热腔SWSs内TM_(0n)模式色散方程的推导 | 第45-46页 |
| ·TM_(0n)模式增长率的求解 | 第46-47页 |
| ·小结 | 第47-48页 |
| 第四章 过模波导PIC模型的模式成份分析方法 | 第48-55页 |
| ·均匀波导和周期式结构波导内的模式正交性 | 第48-49页 |
| ·均匀波导内的模式正交性 | 第48-49页 |
| ·无限长均匀周期波导内的模式正交性 | 第49页 |
| ·不同频率的模式的区分 | 第49-50页 |
| ·均匀波导PIC模型内模式分解的计算方法 | 第50-53页 |
| ·任意横截面波导模式成份分析方法 | 第50-52页 |
| ·常用波导的模式成份分析 | 第52-53页 |
| ·过模慢波结构内模式成份求解的探讨 | 第53-54页 |
| ·小结 | 第54-55页 |
| 第五章 非对称表面波竞争的抑制与输出模式纯化方法 | 第55-66页 |
| ·过模O型Cerenkov器件内的非对称表面波竞争 | 第55-58页 |
| ·X波段过模O型Cerenkov器件简介 | 第55-56页 |
| ·2 维PIC模拟结果 | 第56页 |
| ·3 维PIC模拟结果 | 第56-58页 |
| ·非对称模式竞争的抑制 | 第58页 |
| ·不连续边界对过模O型Cerenkov器件输出模式成份的影响 | 第58-60页 |
| ·过模O型Cerenkov器件的输出模式纯化 | 第60-65页 |
| ·模式纯化的思路 | 第60-61页 |
| ·TM_(01)和TM_(02)混合模式的纯化 | 第61-65页 |
| ·纯化多个TM_(0n)模式的可行性探讨 | 第65页 |
| ·小结 | 第65-66页 |
| 第六章 SWSs功率容量特性理论分析 | 第66-75页 |
| ·SWSs场分布理论计算 | 第66-67页 |
| ·SWSs功率容量随频率和几何结构的变化 | 第67-69页 |
| ·TM_(0n)模式功率容量随频率的变化 | 第67-68页 |
| ·过模SWSs内表面波的功率容量 | 第68-69页 |
| ·功率容量随波纹深度的变化 | 第69页 |
| ·功率容量随周期长度的变化 | 第69页 |
| ·高频段大过模比SWSs的功率容量 | 第69-71页 |
| ·过模SWSs内混合模式的功率容量 | 第71-74页 |
| ·小结 | 第74-75页 |
| 第七章 冷腔SWSs射频击穿特性实验研究 | 第75-100页 |
| ·RF加速器领域的射频击穿研究现状 | 第75-80页 |
| ·RF加速器领域的击穿规律实验研究 | 第75-78页 |
| ·RF加速器领域的击穿物理机制探讨 | 第78-80页 |
| ·HPM领域和RF加速器领域的射频击穿研究的区别 | 第80页 |
| ·冷腔SWSs射频击穿实验系统介绍 | 第80-82页 |
| ·实验方案描述 | 第80-81页 |
| ·实验装置简介 | 第81-82页 |
| ·击穿试件的设计 | 第82-85页 |
| ·双周期SWSs试件 | 第83-84页 |
| ·多周期SWSs试件 | 第84-85页 |
| ·实验步骤和参数测量 | 第85-88页 |
| ·实验步骤 | 第85-86页 |
| ·辐射场功率测量 | 第86页 |
| ·在线测量功率的认定 | 第86-87页 |
| ·辐射场和在线测量波形数据处理 | 第87页 |
| ·击穿试件表面场强的认定 | 第87-88页 |
| ·射频击穿的实验规律统计 | 第88-96页 |
| ·不装配击穿试件时HPM产生器件状态的测量 | 第88-89页 |
| ·不同表面场强的双周期SWSs试件击穿实验 | 第89-91页 |
| ·不同周期数的SWSs试件击穿实验 | 第91-93页 |
| ·不锈钢和黄铜材料的双周期SWSs试件击穿实验 | 第93页 |
| ·外加磁场下双周期SWSs试件击穿实验 | 第93-96页 |
| ·击穿试件表面形貌 | 第96-97页 |
| ·爆炸发射对SWSs试件微波传输影响的PIC模拟 | 第97-99页 |
| ·小结 | 第99-100页 |
| 第八章 总结与展望 | 第100-103页 |
| ·论文主要工作与结论 | 第100-101页 |
| ·论文主要创新点 | 第101-102页 |
| ·后续工作展望 | 第102-103页 |
| 致谢 | 第103-105页 |
| 参考文献 | 第105-112页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第112页 |
