基于CMOS工艺的太赫兹成像检波单元的研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-15页 |
| ·本论文研究的目的和意义 | 第9-10页 |
| ·国内外研究现状及发展趋势 | 第10-12页 |
| ·国内外研究状况 | 第10-11页 |
| ·CMOS 工艺下的太赫兹检波器 | 第11页 |
| ·CMOS 工艺用于太赫兹成像的天线 | 第11-12页 |
| ·论文创意点与结构安排 | 第12-15页 |
| ·论文创新点 | 第12页 |
| ·本文的结构安排 | 第12-15页 |
| 第2章 片上 THZ 成像单元中检波器的设计 | 第15-33页 |
| ·太赫兹成像的实现方法 | 第15-16页 |
| ·衡量成像系统中检波器的性能指标 | 第16页 |
| ·太赫兹成像系统中检波器的选型 | 第16-18页 |
| ·CMOS 工艺下太赫兹检波器的几种形式 | 第18-21页 |
| ·外差式检波 | 第18-19页 |
| ·采用 MOS 管的直接检波 | 第19页 |
| ·采用肖特基二极管的直接检波 | 第19-21页 |
| ·采用 MOS 管进行直接式检波 | 第21-33页 |
| ·基本模型的建立 | 第21-23页 |
| ·MOS 管进行太赫兹检波的基本原理 | 第23-29页 |
| ·MOS 管太赫兹检波器的设计 | 第29-33页 |
| 第3章 片上 THZ 成像单元天线的设计 | 第33-53页 |
| ·实现片上天线的优点 | 第33-34页 |
| ·灵活的阻抗匹配 | 第33页 |
| ·多层金属可供选择 | 第33-34页 |
| ·实现片上天线的难点 | 第34-37页 |
| ·硅衬底不利于设计片上天线 | 第34-35页 |
| ·CMOS 工艺并不完全支持片上天线 | 第35-36页 |
| ·片上天线仿真与实测结果容易出现偏差 | 第36页 |
| ·片上天线的测试很不方便 | 第36-37页 |
| ·片上太赫兹天线的指标要求 | 第37-38页 |
| ·方向性 | 第37页 |
| ·效率 | 第37页 |
| ·天线尺寸 | 第37-38页 |
| ·片上太赫兹天线的实现方案 | 第38-42页 |
| ·前人实现方法简要回顾 | 第38-39页 |
| ·天线的选型 | 第39-40页 |
| ·人工磁导体（AMC）简介 | 第40-42页 |
| ·加载人工磁导体的片上天线 | 第42-53页 |
| ·片上天线的设计 | 第42-45页 |
| ·人工磁导体单元的设计 | 第45-47页 |
| ·片上天线加载 AMC | 第47-53页 |
| 第4章 片上 THZ 成像检波单元一体化设计 | 第53-65页 |
| ·天线与检波单元的阻抗匹配 | 第53-56页 |
| ·阻抗匹配网络的稳定性分析 | 第56-61页 |
| ·工作的温度 | 第57-58页 |
| ·工艺上的变化 | 第58页 |
| ·各种条件下匹配网络的性能 | 第58-61页 |
| ·整个检波单元的性能分析 | 第61-62页 |
| ·整个检波单元的性能总结 | 第62-65页 |
| 第5章 总结与展望 | 第65-67页 |
| ·论文的工作总结 | 第65-66页 |
| ·未来可能进行的深入研究 | 第66-67页 |
| ·技术方案方面 | 第66页 |
| ·CMOS 片上天线 | 第66页 |
| ·验证与测试 | 第66-67页 |
| 结论 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-79页 |
| 攻读学位期间发表论文与研究成果清单 | 第79-81页 |
| 致谢 | 第81页 |
