| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-6页 |
| 第一章 绪论 | 第6-13页 |
| ·引言 | 第6-7页 |
| ·半导体激光器研究进展概述 | 第7-9页 |
| ·锑化物激光器发展概况 | 第9-11页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第11-13页 |
| 第二章 实验及材料测试原理 | 第13-24页 |
| ·分子束外延技术及材料的生长工艺流程 | 第13-17页 |
| ·半导体材料电学测试技术 | 第17-19页 |
| ·X射线双晶衍射测试技术 | 第19-21页 |
| ·光致发光测试技术 | 第21-24页 |
| 第三章 GaSb材料MBE生长及掺杂特性研究 | 第24-30页 |
| ·引言 | 第24-25页 |
| ·GaSb薄膜材料的MBE生长实验 | 第25页 |
| ·GaSb材料特性及N型和P型GaSb材料掺杂 | 第25-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 第四章 Ⅰ型InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器材料外延生长研究 | 第30-40页 |
| ·AlGaAsSb、InGaAsSb四元合金材料特性 | 第30-31页 |
| ·InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱有源区组分调控 | 第31-35页 |
| ·Ⅰ型InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器结构制备及特性 | 第35-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第五章 Ⅰ型InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器器件制作及器件性能研究 | 第40-44页 |
| ·Ⅰ型InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器器件制作 | 第40-42页 |
| ·Ⅰ型InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器器件性能 | 第42-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 第六章 结论 | 第44-45页 |
| 致谢 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-49页 |
| 硕士期间发表文章 | 第49页 |
