| 中文摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 1.绪论 | 第10-21页 |
| ·透明导电薄膜分类 | 第10-14页 |
| ·In_2O_3基薄膜 | 第10-11页 |
| ·ZnO 基薄膜 | 第11-12页 |
| ·SnO_2基薄膜 | 第12-13页 |
| ·其他透明导电薄膜 | 第13-14页 |
| ·透明导电氧化物薄膜制备方法及原理 | 第14-18页 |
| ·真空蒸发镀膜（VED） | 第14-15页 |
| ·脉冲激光沉积镀膜（PLD） | 第15-16页 |
| ·化学气相沉积镀膜（CVD） | 第16页 |
| ·溶胶-凝胶法镀膜（sol-gel） | 第16-17页 |
| ·磁控溅射镀膜（magnetron sputtering） | 第17-18页 |
| ·透明导电氧化物薄膜的应用 | 第18-19页 |
| ·本课题研究的意义 | 第19-21页 |
| 2.样品的制备及表征方法 | 第21-27页 |
| ·样品的制备 | 第21-22页 |
| ·实验材料 | 第21页 |
| ·实验设备 | 第21-22页 |
| ·样品制备 | 第22页 |
| ·样品的表征方法 | 第22-27页 |
| ·薄膜厚度测试-台阶仪 | 第22-23页 |
| ·薄膜结构表征 | 第23-24页 |
| ·薄膜表面形貌表征-AFM | 第24页 |
| ·薄膜光学性能测试-紫外线-可见分光光度计 | 第24-25页 |
| ·薄膜电学性能测试-霍尔效应仪 | 第25-27页 |
| 3. SnO_2:F（FTO）薄膜正交实验及薄膜性能分析 | 第27-47页 |
| ·FTO 薄膜的制备工艺参数 | 第27-28页 |
| ·薄膜制备前准备 | 第27页 |
| ·FTO 薄膜正交实验条件 | 第27-28页 |
| ·FTO 薄膜后续退火处理 | 第28页 |
| ·结果与分析 | 第28-45页 |
| ·厚度分析 | 第28-29页 |
| ·XRD 分析 | 第29-33页 |
| ·AFM 分析 | 第33-37页 |
| ·透光分析 | 第37-41页 |
| ·光学禁带宽度分析 | 第41-44页 |
| ·电学性能分析 | 第44-45页 |
| ·FTO 薄膜正交实验极差分析 | 第45-47页 |
| 4.不同氧分压下制备 FTO 薄膜及薄膜性能分析 | 第47-57页 |
| ·薄膜的制备工艺参数 | 第47页 |
| ·薄膜制备前准备 | 第47页 |
| ·实验条件 | 第47页 |
| ·结果与分析 | 第47-57页 |
| ·厚度分析 | 第47-48页 |
| ·XRD 分析 | 第48-49页 |
| ·AFM 分析 | 第49-51页 |
| ·TEM 分析 | 第51-53页 |
| ·透光分析 | 第53-54页 |
| ·光学禁带宽度分析 | 第54-55页 |
| ·电学性能分析 | 第55-57页 |
| 5.不同掺杂源下制备 FTO 薄膜及薄膜性能分析 | 第57-63页 |
| ·薄膜制备的工艺参数 | 第57页 |
| ·镀膜前准备 | 第57页 |
| ·实验条件 | 第57页 |
| ·结果与分析 | 第57-63页 |
| ·厚度分析 | 第57-58页 |
| ·XRD 分析 | 第58-59页 |
| ·AFM 分析 | 第59-60页 |
| ·透光分析 | 第60-61页 |
| ·光学禁带宽度分析 | 第61-62页 |
| ·电学性能分析 | 第62-63页 |
| 6.结论 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-67页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 作者简介 | 第69-70页 |