| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-27页 |
| §1.1 一维纳米结构材料的研究现状 | 第10-13页 |
| §1.2 一维 ZnO 纳米结构的应用 | 第13-19页 |
| §1.2.1 一维 ZnO 纳米线 UV 光检测器 | 第13-14页 |
| §1.2.2 ZnO 纳米线器件在生物方面的应用 | 第14-16页 |
| §1.2.3 一维 ZnO 纳米线的表面修饰改性 | 第16-19页 |
| §1.3 目前存在的主要问题 | 第19-20页 |
| §1.4 本论文研究的目的、思路及内容 | 第20-22页 |
| §1.4.1 论文的研究目的和思路 | 第20页 |
| §1.4.2 论文研究的主要内容 | 第20-22页 |
| 参考文献 | 第22-27页 |
| 第二章 一维 ZnO 纳米材料的制备及器件构筑 | 第27-35页 |
| §2.1 前言 | 第27页 |
| §2.2 一维 ZnO 纳米结构的合成及表征 | 第27-31页 |
| §2.2.1 实验所需试剂 | 第27页 |
| §2.2.2 实验所需表征仪器 | 第27-28页 |
| §2.2.3 实验步骤 | 第28-29页 |
| §2.2.4 结果与讨论 | 第29-31页 |
| §2.3 ZnO 纳米线的电场组装 | 第31-32页 |
| §2.3.1 组装机理 | 第31页 |
| §2.3.2 组装过程 | 第31-32页 |
| §2.3.3 结果与讨论 | 第32页 |
| §2.4 本章小结 | 第32-33页 |
| 参考文献 | 第33-35页 |
| 第三章 表面等离子体处理对 ZnO 纳米线紫外光检测器性能的影响 | 第35-48页 |
| §3.1 前言 | 第35页 |
| §3.2 实验过程 | 第35-36页 |
| §3.3 结果与讨论 | 第36-39页 |
| §3.3.1 不同光照时间对 ZnO 纳米线电学性质的影响 | 第36-37页 |
| §3.3.2 不同透光率的紫外光对光检测性能的影响 | 第37-39页 |
| §3.4 等离子体处理对 ZnO 光检测器性能的影响 | 第39-44页 |
| §3.4.1 氧等离子体处理对 ZnO 光检测器性能的影响 | 第39-42页 |
| §3.4.2 Ar 等离子体处理对 ZnO 光检测器性能的影响 | 第42-44页 |
| §3.5 本章小结 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-48页 |
| 第四章 表面自组装分子层对 ZnO 纳米线光电输运性质的影响 | 第48-59页 |
| §4.1 引言 | 第48-50页 |
| §4.2 用聚乙烯亚胺和赖氨酸修饰 ZnO 纳米结构 | 第50-56页 |
| §4.2.1 实验试剂 | 第50页 |
| §4.2.2 实验过程 | 第50页 |
| §4.2.3 结果与讨论 | 第50-56页 |
| §4.3 本章小结 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-59页 |
| 总结与展望 | 第59-60页 |
| 硕士期间完成的工作 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
