| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| ·研究背景 | 第8-12页 |
| ·论文安排 | 第12页 |
| ·创新点 | 第12-14页 |
| 第二章 光电探测器的工作原理以及指标参数的分析 | 第14-26页 |
| ·PIN 的工作原理 | 第14-16页 |
| ·光电探测器的物理效应 | 第16-17页 |
| ·性能指标 | 第17-21页 |
| ·量子效率 | 第17-18页 |
| ·响应速度 | 第18-19页 |
| ·暗电流 | 第19-20页 |
| ·光谱响应 | 第20-21页 |
| ·噪声特性 | 第21页 |
| ·光电探测器的结构 | 第21-25页 |
| ·纵向和插指型纵向 PIN 光探测器 | 第21-23页 |
| ·横向 PIN 光探测器 | 第23页 |
| ·空间调制 CMOS 光探测器 | 第23-24页 |
| ·插指型 P+/N 阱/P 型衬底 CMOS 双光探测器 | 第24-25页 |
| ·本章小节 | 第25-26页 |
| 第三章 具有双 MOS 结构的光电探测器 | 第26-34页 |
| ·器件结构 | 第26-27页 |
| ·器件结构的分析 | 第27-33页 |
| ·本征硅层的厚度对光吸收率的影响 | 第27-28页 |
| ·硅层中间电场的大小 | 第28-30页 |
| ·探测器耗尽层的分析 | 第30-31页 |
| ·器件的频率响应时间 | 第31页 |
| ·3dB 带宽 | 第31-32页 |
| ·静态功耗 | 第32-33页 |
| ·本章小节 | 第33-34页 |
| 第四章 RCE 光电探测器的器件结构和性能分析 | 第34-44页 |
| ·谐振腔型光电探测器基本结构 | 第34-35页 |
| ·基本参数 | 第35-41页 |
| ·量子效率 | 第35-39页 |
| ·响应特性 | 第39-41页 |
| ·驻波效应 | 第41-43页 |
| ·本章小节 | 第43-44页 |
| 第五章 具有 RCE 结构的双 MOS 光电探测器 | 第44-54页 |
| ·RCE-DMPD 结构 | 第44页 |
| ·DBR 反射镜的反射率 | 第44-47页 |
| ·器件量子效率 | 第47-50页 |
| ·驻波效应 | 第50-52页 |
| ·探测器的 3dB 带宽 | 第52-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第六章 结束语 | 第54-56页 |
| ·工作总结 | 第54-55页 |
| ·工作展望 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-64页 |
| 硕士期间参加课题 | 第64-65页 |