| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-22页 |
| ·自旋电子学 | 第8-10页 |
| ·稀磁半导体 | 第10-15页 |
| ·稀磁半导体的概念和分类 | 第10页 |
| ·(Ga,Mn)As薄膜的分子束外延生长和结构特征 | 第10-12页 |
| ·(Ga,Mn)As的磁性质 | 第12-14页 |
| ·(Ga,Mn)As的铁磁性起源—p-d交换相互作用 | 第14-15页 |
| ·(Ga,Mn)As相关异质结 | 第15-20页 |
| 参考文献 | 第20-22页 |
| 第2章 材料生长及测试技术 | 第22-31页 |
| ·分子束外延生长技术 | 第22-24页 |
| ·分子束外延生长技术基本原理 | 第22页 |
| ·分子束外延设备结构组成 | 第22-24页 |
| ·Ⅲ-Ⅴ族磁性半导体的MBE生长工艺过程 | 第24页 |
| ·双晶X射线衍射仪 | 第24-25页 |
| ·高分辨透射电镜 | 第25-26页 |
| ·超导量子干涉仪 | 第26-27页 |
| ·X射线光电子能谱仪 | 第27-30页 |
| 参考文献 | 第30-31页 |
| 第3章 FE/(GA,MN)AS异质结结构和磁性质 | 第31-40页 |
| ·引言 | 第31-32页 |
| ·Fe/(Ga,Mn)As异质结的制备、基本结构和磁性质 | 第32-38页 |
| ·Fe/(Ga,Mn)As异质结的生长过程 | 第32页 |
| ·Fe/(Ga,Mn)As异质结的结构和磁性质 | 第32-36页 |
| ·Fe/(Ga,Mn)As异质结的界面结构 | 第36-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 参考文献 | 第39-40页 |
| 第4章 结论与展望 | 第40-41页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果 | 第41-42页 |
| 致谢 | 第42-43页 |
| 作者简介 | 第43页 |
