| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 1 绪论 | 第8-15页 |
| ·AlN薄膜的结构 | 第8-9页 |
| ·AlN薄膜的性能 | 第9-10页 |
| ·AlN薄膜的应用 | 第10-11页 |
| ·AlN薄膜的制备方法 | 第11-12页 |
| ·AlN薄膜的研究现状 | 第12-13页 |
| ·本文的研究目的与研究内容 | 第13-15页 |
| 2 实验设备与表征方法 | 第15-29页 |
| ·磁控溅射 | 第15-17页 |
| ·MW-ECR等离子体增强非平衡磁控溅射技术 | 第17-20页 |
| ·MW-ECR等离子体源的产生原理和特点 | 第17页 |
| ·MW-ECR等离子增强非平衡磁控溅射装置 | 第17-20页 |
| ·基底温度和沉积气压对薄膜的影响 | 第20-21页 |
| ·AlN薄膜的制备流程 | 第21-22页 |
| ·实验前准备 | 第21页 |
| ·实验步骤 | 第21-22页 |
| ·AlN薄膜的测试与表征 | 第22-29页 |
| ·傅立叶变换红外光谱(Fourier Transform Infrared SpectroscopyFT-IR) | 第23-25页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第25-26页 |
| ·椭圆偏振光谱仪(椭偏仪Ellipsometer) | 第26-27页 |
| ·显微硬度仪 | 第27-29页 |
| 3 室温时非平衡磁控溅射制备AlN薄膜 | 第29-41页 |
| ·AlN薄膜的制备 | 第29页 |
| ·沉积时间对AlN薄膜化学结构的影响 | 第29-31页 |
| ·不同溅射功率对AlN薄膜的影响 | 第31-34页 |
| ·不同溅射功率对AlN薄膜沉积速率的影响 | 第31-32页 |
| ·不同溅射功率对AlN薄膜化学结构的影响 | 第32-33页 |
| ·不同溅射功率对AlN薄膜硬度的影响 | 第33-34页 |
| ·不同氮氩流量比对AlN薄膜的影响 | 第34-37页 |
| ·不同氮气流量对AlN薄膜沉积速率的影响 | 第35-36页 |
| ·不同氮气流量下AlN薄膜的FT-IR分析 | 第36-37页 |
| ·不同氮气流量对AlN薄膜硬度的影响 | 第37页 |
| ·AlN薄膜作为绝缘膜在热电偶传感器中的应用 | 第37-40页 |
| ·切削刀具热电偶温度传感器 | 第37-38页 |
| ·薄膜热电偶温度传感器中绝缘膜的选择 | 第38-39页 |
| ·AlN薄膜的直流电阻 | 第39页 |
| ·AlN薄膜作为绝缘膜制备的热电偶刀具 | 第39-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 4 基底加热时非平衡磁控溅射制备AlN薄膜 | 第41-52页 |
| ·基底加热时AlN薄膜的制备 | 第41-42页 |
| ·不同基底温度下AlN薄膜FT-IR的分析 | 第42-46页 |
| ·氮气流量为3SCCM时,不同基底温度下AlN薄膜的FT-IR分析 | 第42-44页 |
| ·氮气流量为2SCCM时,不同基底温度下AlN薄膜的FT-IR分析 | 第44-46页 |
| ·不同基底温度对AlN薄膜沉积速率的影响 | 第46页 |
| ·不同基底温度下AlN薄膜XRD的分析 | 第46-49页 |
| ·不同基底温度对AlN薄膜折射率的影响 | 第49-50页 |
| ·不同基底温度对AlN薄膜硬度的影响 | 第50页 |
| ·本章小结 | 第50-52页 |
| 结论 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-57页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
