| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第1章 综述 | 第8-24页 |
| ·引言 | 第8-9页 |
| ·Si衬底GaN基LED的基本性质 | 第9-11页 |
| ·GaN的基本结构与性质 | 第9-10页 |
| ·Si衬底GaN基外延层的基本特点 | 第10-11页 |
| ·GaN基LED光提取效率的提高 | 第11-19页 |
| ·量子效率 | 第11-12页 |
| ·逸出光锥(Escape cone)对LED出光的影响 | 第12-13页 |
| ·提高LED出光效率的方法概述 | 第13-19页 |
| ·LED表面处理技术 | 第19-23页 |
| ·干法刻蚀 | 第19-21页 |
| ·湿法刻蚀 | 第21-23页 |
| ·本论文研究的内容和行文安排 | 第23-24页 |
| 第2章 AlN刻蚀对表面粗化的影响 | 第24-52页 |
| ·引言 | 第24页 |
| ·KOH溶液粗化表面的原理 | 第24-25页 |
| ·AlN缓冲层对粗化的影响 | 第25-31页 |
| ·引言 | 第25-26页 |
| ·实验 | 第26-28页 |
| ·结果与讨论 | 第28-30页 |
| ·小结 | 第30-31页 |
| ·AlN缓冲层的刻蚀对其表面状态的影响 | 第31-50页 |
| ·引言 | 第31页 |
| ·实验 | 第31-32页 |
| ·结果与讨论 | 第32-50页 |
| ·小结 | 第50页 |
| ·本章小结 | 第50-52页 |
| 第3章 刻蚀后粗化对LED出光的影响 | 第52-64页 |
| ·引言 | 第52-53页 |
| ·实验 | 第53-56页 |
| ·结果与讨论 | 第56-62页 |
| ·本章小结 | 第62-64页 |
| 第4章 结论 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-72页 |