首页--数理科学和化学论文--物理学论文--半导体物理学论文--半导体性质论文

砷化物半导体热力学性质的第一原理计算

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-9页
第一章 绪论第9-13页
   ·引言第9-10页
   ·密度泛函理论(Density Functional Theory,DFT)简介第10-11页
     ·H-K定理第10页
     ·K-S方程第10-11页
   ·本研究的内容及意义第11-13页
第二章 XAs(X=Al、Ga和In)的晶格动力学性质第13-25页
   ·计算方法第13页
   ·结果与讨论第13-24页
     ·电子结构第13-16页
     ·能带结构性质第16-17页
     ·介电性质第17-20页
     ·振动性质第20-24页
   ·小结第24-25页
第三章 AlAs相变的热力学性质第25-42页
   ·计算方法第25页
   ·结果与讨论第25-41页
     ·电子结构第25-31页
     ·弹性性质第31-35页
     ·介电性质第35-38页
     ·振动性质第38-41页
   ·小结第41-42页
第四章 AlAs的本征缺陷的电子性质第42-49页
   ·计算方法第42页
   ·结果与讨论第42-48页
     ·本征缺陷的形成能第42-45页
     ·本征缺陷的电子结构性质第45-48页
   ·小结第48-49页
第五章 总结第49-50页
参考文献第50-56页
致谢第56-57页
攻读硕士学位期间发表的学术论文及科研成果第57页

论文共57页,点击 下载论文
上一篇:Al-Sc-TM随机合金的第一性原理研究
下一篇:XTiO3和XZrO3 (X=Ca,Sr和Ba)热力学性质的理论研究