| 提要 | 第1-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-25页 |
| ·氮化硼的分类 | 第9-13页 |
| ·hBN 的性质及应用 | 第13-14页 |
| ·立方氮化硼的性质及应用 | 第14-17页 |
| ·立方氮化硼的掺杂 | 第17-18页 |
| ·立方氮化硼的主要合成方法 | 第18-22页 |
| ·选题意义及主要研究内容 | 第22-25页 |
| ·选题意义 | 第22-23页 |
| ·研究内容 | 第23-25页 |
| 第二章 静态高压触媒法合成cBN | 第25-47页 |
| ·静态高压触媒法的溶剂理论 | 第26-29页 |
| ·触媒参与下的立方氮化硼合成机理 | 第26-27页 |
| ·hBN-cBN 的相平衡 | 第27-29页 |
| ·hBN 对立方氮化硼合成的影响 | 第29-34页 |
| ·hBN 的合成方法 | 第30-31页 |
| ·高温高压对hBN 有序化合成的影响 | 第31-32页 |
| ·hBN 的结晶度对cBN 合成的影响 | 第32-33页 |
| ·hBN 的氧化特性对cBN 合成的影响 | 第33-34页 |
| ·静态触媒高压法的合成装置 | 第34-44页 |
| ·常用高温高压设备的分类 | 第34-37页 |
| ·铰链式六面顶高温高压装置 | 第37-39页 |
| ·压力和温度的标定 | 第39-43页 |
| ·温度标定方法 | 第39-41页 |
| ·压力标定 | 第41-43页 |
| ·人工合成立方氮化硼的传压介质 | 第43-44页 |
| ·静态触媒高压法的合成工艺 | 第44-47页 |
| 第三章 组装方式对cBN 合成的影响 | 第47-53页 |
| ·引言 | 第47页 |
| ·实验过程 | 第47-48页 |
| ·结果与讨论 | 第48-51页 |
| ·本章小结 | 第51-53页 |
| 第四章 hBN 的特性对cBN 合成的影响 | 第53-67页 |
| ·引言 | 第53-54页 |
| ·实验过程 | 第54页 |
| ·原料制备 | 第54页 |
| ·高压实验 | 第54页 |
| ·结果与讨论 | 第54-65页 |
| ·初始原料hBN 的 X－ray 分析 | 第54-57页 |
| ·不同结晶程度hBN 的 Raman 光谱分析 | 第57-58页 |
| ·不同结晶度的hBN 对cBN 合成的影响 | 第58-59页 |
| ·不同结晶度的hBN 的 XPS 谱 | 第59-65页 |
| ·本章小结 | 第65-67页 |
| 第五章 hBN＋ Mg＋B 系cBN 晶体的合成 | 第67-76页 |
| ·引言 | 第67-68页 |
| ·硼的性质与用途 | 第68-71页 |
| ·硼的电子结构 | 第68-69页 |
| ·单质硼的制备 | 第69页 |
| ·单质硼的结构 | 第69-71页 |
| ·Mg＋hBN+B 系合成cBN | 第71-75页 |
| ·合成产物的 X－ray 检测 | 第72-73页 |
| ·合成cBN 晶体颜色与形貌的研究 | 第73-75页 |
| ·本章小结 | 第75-76页 |
| 第六章 hBN＋Li_3N＋B 系cBN 晶体的合成 | 第76-88页 |
| ·序言 | 第76页 |
| ·添加不同比例的 B 对cBN 合成的影响 | 第76-78页 |
| ·添加不同比例的 B 对cBN 产率的影响 | 第76-77页 |
| ·添加2wt.% B 时cBN 的生长区域 | 第77-78页 |
| ·添加 B 后体系的两种生长机制 | 第78-80页 |
| ·添加 B 后cBN 晶体形状和颜色的变化 | 第80-81页 |
| ·hBN＋Li_3N＋B 体系中cBN 晶体的赋色机制 | 第81-84页 |
| ·黑色和黄色cBN 晶体的 X－ray 衍射图 | 第81-82页 |
| ·黑色和黄色cBN 晶体的 Raman 衍射图 | 第82-84页 |
| ·cBN 晶体的形态变化原因 | 第84页 |
| ·B 进入cBN 晶体的方式 | 第84-86页 |
| ·B 进入晶体的区域选择性 | 第84-85页 |
| ·B 进入晶体的模型 | 第85-86页 |
| ·黄色和黑色cBN 晶体的残余应力对比 | 第86-87页 |
| ·本章小结 | 第87-88页 |
| 第七章 结论与展望 | 第88-92页 |
| ·结论 | 第88-91页 |
| ·展望 | 第91-92页 |
| 参考文献 | 第92-102页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第102-104页 |
| 致谢 | 第104-106页 |
| 附：中英文摘要 | 第106-114页 |
| 摘要 | 第106-110页 |
| ABSTRACT | 第110-114页 |