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MOS模拟器件的不匹配性研究

摘要第1-7页
ABSTRACT第7-10页
第一章 绪论第10-14页
   ·不匹配性的概念第10页
   ·不匹配模型的发展与研究第10-12页
     ·建立不匹配模型的重要性第10页
     ·研究方法及趋势第10-11页
     ·国内外的研究成果第11-12页
   ·本文的概要第12-14页
第二章 短沟道MOS器件特性第14-20页
   ·概述第14页
   ·短沟道效应特点第14-19页
     ·阈值电压的变化第14-16页
     ·迁移率下降第16-17页
     ·速度饱和第17-18页
     ·热载流子效应第18-19页
   ·本章小结第19-20页
第三章 CMOS器件模型第20-28页
   ·概述第20页
   ·MOS器件模型第20-27页
     ·Leve11 模型第20-22页
     ·Leve12 模型第22-23页
     ·Leve13 模型第23-24页
     ·BSIM系列模型第24-26页
     ·电荷和电容模型第26-27页
   ·本章小结第27-28页
第四章 放大器的不匹配特性第28-42页
   ·概述第28-31页
     ·差分放大器中的不匹配效应第28-29页
     ·输入失调电压第29-31页
     ·不匹配引起的直流失调第31页
   ·不匹配的消除方法第31-40页
     ·工艺消除失配第31-32页
     ·电路设计减小失配电压第32-36页
     ·版图设计方法减少失配第36-40页
   ·本章小结第40-42页
第五章 电流源的不匹配特性第42-62页
   ·引言第42页
   ·电流源失配机理第42-46页
     ·单个MOS管的失配误差分析第42-44页
     ·由MOS管组成的电流镜失配误差分析第44-46页
   ·电流源不匹配对D/A的影响第46-57页
     ·单位电流源误差对D/A转换器非线性误差(NL)的影响第46-48页
     ·电流源匹配误差对信号噪声失调比(SNDR)的影响第48-52页
     ·电流源匹配误差对无杂波动态范围(SFDR)的影响第52-57页
   ·校准原理第57-61页
     ·电流复制法第57-58页
     ·自校准电流源技术第58-61页
   ·本章小结第61-62页
第六章 结束语第62-64页
致谢第64-66页
参考文献第66-68页
研究成果第68页

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