GaAs核辐射探测器的研制
| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-6页 |
| 第一章 引言 | 第6-9页 |
| 第二章 国内外GaAs探测器研究现状 | 第9-15页 |
| 1. 国外GaAs探测器研究现状 | 第9-12页 |
| 2. 国内GaAs探测器研究现状 | 第12-15页 |
| 第三章 研究内容 | 第15-16页 |
| 第四章 半导体探测器工作原理 | 第16-17页 |
| 第五章 GaAs核辐射探测器的制备 | 第17-28页 |
| 1. 材料选取 | 第17-18页 |
| 2. 晶片加工 | 第18-21页 |
| ·机械切割 | 第18-19页 |
| ·研磨 | 第19页 |
| ·腐蚀 | 第19-21页 |
| 3. 电极制作 | 第21-27页 |
| ·真空蒸发镀膜 | 第21-22页 |
| ·欧姆接触 | 第22-23页 |
| ·表面势垒GaAs探测器的电极制备 | 第23-25页 |
| ·制备欧姆接触 | 第23-24页 |
| ·制备Au表面势垒 | 第24-25页 |
| ·PIN型GaAs探测器的电极制备 | 第25-27页 |
| 4. GaAs探测器的存放 | 第27页 |
| 5. GaAs探测器的使用 | 第27-28页 |
| 第六章 测试结果及讨论 | 第28-47页 |
| 1. GaAs核辐射探测器的伏安特性 | 第28-33页 |
| ·伏安特性的测量 | 第28-32页 |
| ·反向漏电流的讨论 | 第32-33页 |
| 2. GaAs核辐射探测器的电荷收集特性 | 第33-35页 |
| 3. 对α粒子和低能X、γ射线的能谱响应 | 第35-47页 |
| ·能谱测量电子学系统 | 第35-36页 |
| ·GaAs核辐射探测器对α粒子能谱响应 | 第36-39页 |
| ·α粒子能谱测量结果 | 第36-37页 |
| ·α粒子能谱分析 | 第37-38页 |
| ·峰位不一致现象 | 第38-39页 |
| ·GaAs核辐射探测器对低能X、γ射线的能谱响应 | 第39-47页 |
| ·测量实验结果 | 第39-43页 |
| ·能量分辨的理论分析 | 第43-47页 |
| ·空穴收集不完全的影响 | 第43-45页 |
| ·降低系统噪声提高能量分辨 | 第45页 |
| ·载流子复合和俘获的影响 | 第45-47页 |
| 结论 | 第47-48页 |
| 展望 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 附录I | 第53-54页 |
| 附录II | 第54页 |
