| 第一章 引言 | 第1-10页 |
| 第二章 文献综述 | 第10-32页 |
| ·GaN基氮化物半导体材料的特性及其应用 | 第10-17页 |
| ·三代半导体技术 | 第10-11页 |
| ·GaN基材料特性 | 第11-13页 |
| ·材料性能及各方面的应用 | 第13-17页 |
| ·GaN基氮化物半导体材料的不同生长方法 | 第17-22页 |
| ·GaN分子束外延生长技术 | 第22-24页 |
| ·GaN中的缺陷与杂质 | 第24-28页 |
| ·GaN中的本征缺陷和非故意掺杂杂质 | 第25-27页 |
| ·半导体中基本的辐射复合跃迁过程 | 第27-28页 |
| ·GaN的掺杂方法与存在的问题 | 第28-32页 |
| ·非故意掺杂的GaN | 第28-29页 |
| ·氮化物的掺杂剂 | 第29-32页 |
| 第三章 氮化物材料的分子束外延生长与表征 | 第32-50页 |
| ·射频等离子体分子束外延系统 | 第32-36页 |
| ·分子束外延生长氮化物材料的基本步骤 | 第36-37页 |
| ·束流的校准 | 第37-38页 |
| ·Ⅲ-N材料的MBE生长 | 第38-44页 |
| ·Ⅲ-N材料的生长相图 | 第38-40页 |
| ·AlGaN的生长 | 第40-41页 |
| ·InN的生长 | 第41-43页 |
| ·GaN的Si掺杂 | 第43-44页 |
| ·Ⅲ-N材料的表征方法 | 第44-49页 |
| ·结构特性表征 | 第44-46页 |
| ·光学特性表征 | 第46-47页 |
| ·电学特性表征 | 第47-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 第四章 Ⅲ／Ⅴ比对GaN等离子体辅助MBE生长的影响 | 第50-68页 |
| ·Ga-rich和N-rich | 第50-53页 |
| ·白宝石(a-Al_2O_3)上外延层生长GaN | 第53-54页 |
| ·GaN的RF Plasma-assisted MBE生长工艺优化 | 第54-56页 |
| ·白宝石衬底的Ga原子清洗 | 第54-55页 |
| ·白宝石衬底的高温氮化 | 第55页 |
| ·低温缓冲层工艺 | 第55-56页 |
| ·Ⅲ／Ⅴ比对GaN MBE生长的影响 | 第56-66页 |
| ·RHEED对GaN表面的表征 | 第56-58页 |
| ·Ⅲ／Ⅴ比对GaN表面和生长速率的影响 | 第58-60页 |
| ·Ⅲ／Ⅴ比对GaN光致发光性质的影响 | 第60-66页 |
| ·Ⅲ／Ⅴ比对GaN的PL性质的影响 | 第61-64页 |
| ·D~0X机理和跃迁过程 | 第64-66页 |
| ·本章小结 | 第66-68页 |
| 第五章 RF Plasma MBE生长P型GaN及掺杂研究 | 第68-89页 |
| ·Mg掺杂对于GaN基器件的影响 | 第68-70页 |
| ·GaN的Mg掺杂存在问题 | 第70-71页 |
| ·不同Mg掺杂温度对于GaN材料的影响 | 第71-85页 |
| ·p型GaN中的DAP和D~+X复合发光 | 第73-82页 |
| ·p型GaN中YL形成原因 | 第82-84页 |
| ·p型GaN和非故意掺杂GaN的YL比较 | 第84-85页 |
| ·不同Ⅲ／Ⅴ比对于GaN材料的影响 | 第85-86页 |
| ·不同生长温度对于GaN材料的影响 | 第86-87页 |
| ·本章小结 | 第87-89页 |
| 第六章 GaN共掺技术的初步研究 | 第89-96页 |
| ·共掺技术的原理 | 第89-94页 |
| ·GaN进行Mg和Si共掺的实验结果 | 第94-95页 |
| ·本章小结 | 第95-96页 |
| 第七章 总结 | 第96-98页 |
| 参考文献 | 第98-106页 |
| 发表论文目录 | 第106-109页 |
| 学位论文独创性声明 | 第109页 |
| 学位论文使用授权声明 | 第109页 |
