| 摘要 | 第1-11页 |
| 第一章 引言 | 第11-12页 |
| 第二章 文献综述 | 第12-29页 |
| ·MBE技术简介 | 第12-14页 |
| ·Ⅲ-Ⅴ族化合物MBE生长及性质 | 第14-16页 |
| ·半导体激光器简介 | 第16-19页 |
| ·2-5μm波段Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体激光器 | 第19-24页 |
| ·量子级联激光器 | 第24-25页 |
| ·InGaAsSb红外探测器 | 第25-27页 |
| ·中科院上海微系统所(原冶金所)的锑化物材料与器件的研究 | 第27页 |
| ·小结 | 第27-29页 |
| 第三章 2μm InGaAsSb／AlGaAsSb多量子阱激光器设计与优化 | 第29-46页 |
| ·引言 | 第29页 |
| ·Ⅲ—Ⅴ族材料基本参数的计算 | 第29-37页 |
| ·AlGaAsSb和InGaAsSb的晶格常数 | 第29-32页 |
| ·AlGaAsSb和InGaAsSb的禁带宽度 | 第32-34页 |
| ·AlGaAsSb和InGaAsSb的折射率 | 第34-37页 |
| ·应变量子阱的能带结构和增益谱 | 第37-41页 |
| ·AlGaAsSb／InGaAsSb激光器光学限制因子 | 第41-42页 |
| ·InGaAsSb／AlGaAsSb量子阱激光器的子带跃迁近似计算 | 第42-45页 |
| ·小结 | 第45-46页 |
| 第四章 AlGaAsSb材料的生长和测试表征 | 第46-62页 |
| ·国产Ⅳ型分子束外延系统 | 第46-47页 |
| ·分子束外延生长基本步骤 | 第47-48页 |
| ·材料的测试表征方法 | 第48页 |
| ·AlGaAsSb的材料的生长研究 | 第48-61页 |
| ·衬底的表面处理 | 第48-51页 |
| ·生长温度对材料质量的影响 | 第51-52页 |
| ·材料组分和应变的调节 | 第52-58页 |
| ·AlGaAsSb材料的掺杂研究 | 第58-61页 |
| ·小结 | 第61-62页 |
| 第五章 InGaAsSb材料的生长和测试表征 | 第62-70页 |
| ·InGaAsSb材料的不互溶隙 | 第62页 |
| ·InGaAsSb材料的临界厚度 | 第62-64页 |
| ·InGaAsSb材料的MBE生长特性 | 第64-66页 |
| ·InGaAsSb材料的组分和带隙波长 | 第66-68页 |
| ·小结 | 第68-70页 |
| 第六章 量子阱材料的生长和测试表征 | 第70-82页 |
| ·引言 | 第70页 |
| ·不同数目量子阱材料的测试特性 | 第70-74页 |
| ·不同生长质量的多量子阱材料的测试特性 | 第74-75页 |
| ·材料光致发光波长与阱宽的关系 | 第75-77页 |
| ·不同量子阱材料光致发光与温度的关系 | 第77-78页 |
| ·不同量子阱材料光致发光与激发功率的关系 | 第78-80页 |
| ·不同垒厚度对光致发光的影响 | 第80-81页 |
| ·小结 | 第81-82页 |
| 第七章 激光器和探测器的结构与性能测试 | 第82-90页 |
| ·引言 | 第82页 |
| ·激光器的结构与能带 | 第82-85页 |
| ·探测器的结构与能带 | 第85-86页 |
| ·激光器的制作工艺 | 第86页 |
| ·探测器的制作工艺 | 第86-87页 |
| ·激光器的测试结果 | 第87-88页 |
| ·探测器的测试结果 | 第88-89页 |
| ·小结 | 第89-90页 |
| 第八章 结论 | 第90-93页 |
| 参考文献 | 第93-98页 |
| 发表文章目录 | 第98-99页 |
| 致谢 | 第99-100页 |
| 作者简历 | 第100页 |
