| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 目录 | 第5-7页 |
| 第一章 前言 | 第7-9页 |
| 第二章 文献综述 | 第9-30页 |
| ·Zn,Mg简介 | 第9-10页 |
| ·ZnO晶体的结构和性能 | 第10-12页 |
| ·ZnO的晶体结构 | 第10-11页 |
| ·ZnO的物理常数 | 第11-12页 |
| ·MgO晶体的结构和性能 | 第12页 |
| ·Zn_(1-x)Mg_xO合金及多层薄膜的结构与研究进展 | 第12-22页 |
| ·Zn_(1-x)Mg_xO的结构 | 第12-13页 |
| ·Zn_(1-x)Mg_xO三元合金的应用 | 第13-17页 |
| ·ZnMgO薄膜及ZnO/ZnMgO量子阱和超晶格结构的发光特性 | 第17-19页 |
| ·Zn_xMg_(1-x)O薄膜及ZnO/ZnMgO超晶格结构的研究现状 | 第19-22页 |
| ·ZnO/ZnMgO薄膜的外延生长技术 | 第22-24页 |
| ·分子束外延(MBE) | 第22-23页 |
| ·金属有机物汽相外延(MOCVD) | 第23页 |
| ·溶胶—凝胶法(sol-gel) | 第23页 |
| ·其它生长方法 | 第23-24页 |
| ·立题思路及主要研究工作 | 第24-25页 |
| 参考文献 | 第25-30页 |
| 第三章 PLD薄膜生长实验原理和仪器设备 | 第30-38页 |
| ·脉冲激光沉积(PLD)实验基本原理 | 第30-32页 |
| ·PLD薄膜生长实验系统简介 | 第32-34页 |
| ·实验流程 | 第34页 |
| ·实验方法 | 第34-36页 |
| ·分析测试设备 | 第36-37页 |
| 参考文献 | 第37-38页 |
| 第四章 生长参数对Si(100)衬底上生长ZnMgo薄膜的影响 | 第38-59页 |
| ·引言 | 第38-39页 |
| ·Zn—Mg靶材的制备及表征 | 第39-42页 |
| ·靶材的制备 | 第39-40页 |
| ·靶材的性质表征 | 第40-42页 |
| ·Si(100)衬底上生长单层ZnMgO薄膜 | 第42-54页 |
| ·衬底温度对ZnMgO薄膜生长的影响 | 第42-45页 |
| ·激光脉冲频率对ZnMgO薄膜生长的影响 | 第45-47页 |
| ·氧压对ZnMgO薄膜生长的影响 | 第47-52页 |
| ·生长时间对ZnMgO薄膜生长的影响 | 第52-54页 |
| ·ZnO缓冲层对生长Zn_(1-x)Mg_xO薄膜的影响 | 第54-58页 |
| ·衬底温度对薄膜晶体质量的影响 | 第55-57页 |
| ·场发射扫描电子显微镜(FESEM)图像及其分析结果 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-59页 |
| 第五章 Si(100)衬底上生长ZnO/ZnMgO多层薄膜 | 第59-70页 |
| ·引言 | 第59-60页 |
| ·ZnMgO/ZnO/ZnMgO双异质结生长 | 第60-62页 |
| ·ZnO缓冲层上生长的ZnMgO/ZnO/ZnMgO异质结构 | 第62-65页 |
| ·ZnO缓冲层上生长的ZnO/ZnMgO多层量子阱结构 | 第65-69页 |
| 参考文献 | 第69-70页 |
| 第六章 结论 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71页 |
