| 目录 | 第1-5页 |
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-16页 |
| §1．1 概述 | 第8-9页 |
| §1．2 PSD分类和国内外发展状况 | 第9-13页 |
| §1．2．1 单晶硅PSD | 第9页 |
| §1．2．2 氢化非晶硅(a-Si：H)PSD | 第9-10页 |
| §1．2．3 有机材料双异质结PSD | 第10-11页 |
| §1．2．4 大面积挠性薄膜PSD | 第11页 |
| §1．2．5 PSD阵列 | 第11-12页 |
| §1．2．6 CMOS型PSD | 第12-13页 |
| §1．3 PSD研发前景展望和本文主要工作 | 第13-14页 |
| 参考文献 | 第14-16页 |
| 第二章PSD位置响应的机理 | 第16-24页 |
| §2．1 半导体光生伏特效应 | 第16-20页 |
| §2．2 半导体横向光电效应 | 第20-21页 |
| §2．3 Lucovsky方程 | 第21-23页 |
| 参考文献 | 第23-24页 |
| 第三章 位置敏感探测器的瞬态响应研究 | 第24-32页 |
| §3．1 一维PSD结构 | 第24页 |
| §3．2 一维PSD有限差分模型 | 第24-27页 |
| §3．3 初始和边界条件 | 第27-28页 |
| §3．3．1 边界条件 | 第27页 |
| §3．3．2 连续光信号激励 | 第27-28页 |
| §3．3．3 脉冲光信号激励 | 第28页 |
| §3．4 模拟结果和讨论 | 第28-31页 |
| §3．4．1 光激励点与探测时间的关系 | 第28-30页 |
| §3．4．2 光激励类型不同对结果的影响 | 第30页 |
| §3．4．3 结论 | 第30-31页 |
| 参考文献 | 第31-32页 |
| 第四章 位置敏感探测器波长响应研究 | 第32-39页 |
| §4．1 引言 | 第32-33页 |
| §4．2 模型 | 第33-35页 |
| §4．3 计算结果与讨论 | 第35-37页 |
| §4．4 小节 | 第37-38页 |
| 参考文献 | 第38-39页 |
| 第五章 位置敏感探测器的线性度研究 | 第39-47页 |
| §5．1 引言 | 第39页 |
| §5．2 模型 | 第39-41页 |
| §5．3 计算结果与讨论 | 第41-46页 |
| §5．3．1 PSD边界电阻对其线性度的影响 | 第41-42页 |
| §5．3．2 负载对线性度的影响 | 第42-44页 |
| §5．3．3 表面分流电阻的均匀性对PSD线性度的影响 | 第44-46页 |
| §5．4 结论 | 第46页 |
| 参考文献 | 第46-47页 |
| 第六章 PSD阵列的研制 | 第47-62页 |
| §6．1 前言 | 第47页 |
| §6．2 设计与制作工艺 | 第47-57页 |
| §6．2．1 光刻版图设计 | 第47-49页 |
| §6．2．2 制作工艺 | 第49-57页 |
| §6．3 PSD阵列的特性测试 | 第57-61页 |
| §6．3．1 暗电流 | 第57-58页 |
| §6．3．2 反向偏压和击穿电压 | 第58页 |
| §6．3．3 响应时间 | 第58-59页 |
| §6．3．4 光谱响应和响应灵敏度 | 第59页 |
| §6．3．5 非线性度 | 第59-61页 |
| §6．4 小结 | 第61页 |
| 参考文献 | 第61-62页 |
| 第七章 PSD自动测量系统研制 | 第62-74页 |
| §7．1 研制目的 | 第62页 |
| §7．2 系统组成和工作原理 | 第62-66页 |
| §7．3 软件设计 | 第66-72页 |
| §7．3．1 顺序图 | 第66页 |
| §7．3．2 使用到的相关函数说明 | 第66-69页 |
| §7．3．3 步进电机控制器SC3Run控件 | 第69-72页 |
| §7．4 GUI | 第72页 |
| §7．5 测试结果 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-74页 |
| 第八章 总结与展望 | 第74-75页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76页 |