| 第一章 绪论 | 第1-17页 |
| ·透明导电膜概述 | 第8-9页 |
| ·氧化物透明导电薄膜的种类及特点 | 第9-10页 |
| ·透明导电氧化物的应用 | 第10-11页 |
| ·薄膜的制备方法 | 第11-17页 |
| ·真空镀膜 | 第11-12页 |
| ·离子镀膜 | 第12页 |
| ·化学气相沉积 | 第12-13页 |
| ·溅射镀膜 | 第13-17页 |
| 第二章 ZnO透明导电膜及其掺杂体系ZAO膜的概述 | 第17-26页 |
| ·ZnO透明导电膜的概述 | 第17-20页 |
| ·ZnO的晶体结构 | 第17-18页 |
| ·ZnO薄膜材料的特性 | 第18-20页 |
| ·ZnO及其掺杂Al后的导电机理 | 第20-21页 |
| ·未掺杂时ZnO的导电机制 | 第20页 |
| ·掺杂后的导电机制 | 第20-21页 |
| ·ZAO薄膜概述 | 第21-22页 |
| ·ZAO薄膜的应用前景 | 第22-23页 |
| ·ZAO薄膜的研究现状 | 第23-24页 |
| ·国外研究现状 | 第23-24页 |
| ·国内研究现状 | 第24页 |
| ·ZAO薄膜研究工作的发展趋势和方向 | 第24-26页 |
| 第三章 ZAO膜中最佳掺杂量的理论研究 | 第26-31页 |
| ·模型与假设 | 第26-28页 |
| ·推导中的第一种假设 | 第26-27页 |
| ·推导中的第二种假设 | 第27-28页 |
| ·推导中的第三种假设 | 第28页 |
| ·拟合抛物线方程与最佳掺杂量公式 | 第28-30页 |
| ·理论公式的应用 | 第30-31页 |
| 第四章 ZAO膜中Al_2O_3最佳掺杂量的实验分析 | 第31-39页 |
| ·实验部分 | 第31-33页 |
| ·直流平面磁控溅射器所用的靶的制备 | 第31-32页 |
| ·实验样品的制备 | 第32-33页 |
| ·试样测试 | 第33页 |
| ·Al_2O_3的掺杂量对薄膜结构的影响 | 第33-35页 |
| ·Al_2O_3的掺杂量对薄膜电学性能的影响 | 第35-37页 |
| ·Al_2O_3的掺杂量对薄膜光学性能的影响 | 第37-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 第五章 氧气分压对薄膜性能的影响 | 第39-43页 |
| ·实验部分 | 第39页 |
| ·试样制备 | 第39页 |
| ·试样测试 | 第39页 |
| ·氧气分压对薄膜电学性能的影响 | 第39-41页 |
| ·氧气分压对薄膜光学性能的影响 | 第41-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 第六章 退火温度及退火时间对ZAO膜性能的影响 | 第43-56页 |
| ·实验部分 | 第43-44页 |
| ·试样制备 | 第43页 |
| ·试样测试 | 第43-44页 |
| ·退火温度对薄膜晶体结构及表面形貌的影响 | 第44-49页 |
| ·退火温度对薄膜电学性能的影响 | 第49-50页 |
| ·退火温度对薄膜光学性能的影响 | 第50-55页 |
| ·透射光谱分析 | 第50-53页 |
| ·室温光致发光(PL谱)分析 | 第53-55页 |
| ·退火时间的影响 | 第55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 第七章 溅射中其它工艺参数的影响 | 第56-67页 |
| ·实验部分 | 第56页 |
| ·试样制备 | 第56页 |
| ·试样测试 | 第56页 |
| ·氩气对薄膜性能的影响 | 第56-59页 |
| ·氩气压强对薄膜结构的影响 | 第56-58页 |
| ·氩气压强对薄膜电学性能的影响 | 第58-59页 |
| ·溅射功率对薄膜性能的影响 | 第59-62页 |
| ·试样制备 | 第59页 |
| ·溅射功率对薄膜结构的影响 | 第59-60页 |
| ·溅射功率对薄膜导电性的影响 | 第60-61页 |
| ·溅射功率对薄膜光学性能的影响 | 第61-62页 |
| ·薄膜厚度的影响 | 第62-64页 |
| ·试样制备 | 第62-63页 |
| ·实验数据分析 | 第63-64页 |
| ·靶基距的影响 | 第64-65页 |
| ·本章小结 | 第65-67页 |
| 结束语 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-72页 |
| 作者参加过的科研项目及发表的论著 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73页 |