| 1 绪论 | 第1-11页 |
| 1．1 引言 | 第7-8页 |
| 1．2 课题的提出及意义 | 第8-9页 |
| 1．3 国内外发展 | 第9-11页 |
| 2 理论基础 | 第11-26页 |
| 2．1 射频等离子体简介 | 第11-19页 |
| 2．1．1 容性耦合 | 第13-15页 |
| 2．1．2 感性耦合 | 第15-19页 |
| 2．2 射频等离子的性质 | 第19-26页 |
| 2．2．1 容性耦合射频等离子体的性质 | 第19-22页 |
| 2．2．2 感性耦合射频等离子体的性质 | 第22-26页 |
| 3 实验发展 | 第26-31页 |
| 3．1 射频调谐基片自偏压 | 第26-28页 |
| 3．2 基片调谐自偏压的双稳回滞现象 | 第28-29页 |
| 3．3 调谐自偏压的自振荡现象的引出 | 第29-31页 |
| 4 实验系统与方法 | 第31-35页 |
| 4．1 实验设备与测量系统 | 第31-34页 |
| 4．2 实验方法 | 第34-35页 |
| 5 实验内容与结果 | 第35-53页 |
| 5．1 基片上射频自偏压的产生 | 第35-41页 |
| 5．1．1 基片上电压的组成 | 第35-38页 |
| 5．1．2 基片调谐自偏压的三种状态：连续，振荡和跳跃 | 第38-40页 |
| 5．1．3 产生调谐基片偏压振荡的条件 | 第40-41页 |
| 5．2 基片上射频自偏压的振荡行为 | 第41-49页 |
| 5．2．1 基片上自偏压的典型振荡波形 | 第41-43页 |
| 5．2．2 基片上电压自振荡的频率 | 第43-44页 |
| 5．2．3 自偏压振荡幅度与调谐电容的关系 | 第44-45页 |
| 5．2．4 气压与功率对自偏压振荡的影响 | 第45-47页 |
| 5．2．5 基片调谐自偏压发生振荡的区域 | 第47页 |
| 5．2．6 自偏压振荡的稳定性 | 第47-49页 |
| 5．3 基片调谐自偏压的振荡特性探讨 | 第49-53页 |
| 5．3．1 100Hz干扰对自振荡的影响 | 第49-50页 |
| 5．3．2 不同功率下的自偏压—电容曲线 | 第50-52页 |
| 5．3．3 不同放电气体对振荡的影响 | 第52-53页 |
| 6 实验理论解释 | 第53-60页 |
| 6．1 系统模型的抽象 | 第53-55页 |
| 6．2 基片调谐偏压自振荡的产生原因 | 第55-60页 |
| 6．2．1 普通正弦波振荡器的振荡条件 | 第55-56页 |
| 6．2．2 等离子体基片支路的电特性 | 第56-58页 |
| 6．2．3 基片调谐偏压自振荡的产生机理 | 第58-60页 |
| 7 论文总结 | 第60-63页 |
| 7．1 论文总结 | 第60-62页 |
| 7．2 实验展望 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |