| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 目录 | 第5-7页 |
| 第一章 综述 | 第7-35页 |
| 1． 1 引言 | 第7-8页 |
| 1． 2 光调制器广泛的应用 | 第8-9页 |
| 1． 3 调制器的研究进展 | 第9-26页 |
| 1． 3． 1 引言 | 第10-12页 |
| 1． 3． 2 从LiNbO3到半导体量子阱结构 | 第12-25页 |
| 1． 3． 3 从集总到行波 | 第25页 |
| 1． 3． 4 40G的演进 | 第25-26页 |
| 1． 4 本论文的目的 | 第26-27页 |
| 1． 5 本论文的结构 | 第27-28页 |
| 参考文献 | 第28-35页 |
| 第二章 量子阱波导特性分析 | 第35-55页 |
| 2． 1 引言 | 第35页 |
| 2． 2 基本理论 | 第35-36页 |
| 2． 3 单量子阱的有限宽度分析 | 第36-46页 |
| 2． 3． 1 电场下的等效宽度 | 第36-39页 |
| 2． 3． 2 外加电场下的等效宽度 | 第39-42页 |
| 2． 3． 3 等效宽度法分析量子阱结构 | 第42页 |
| 2． 3． 4 结论 | 第42页 |
| 2． 3． 5 进一步考虑 | 第42-46页 |
| 2． 4 非对称量子阱的吸收分析 | 第46-49页 |
| 2． 5 非对称量子阱的场分析 | 第49-53页 |
| 2． 5． 1 模场分析 | 第49-52页 |
| 2． 5． 2 偏振特性 | 第52-53页 |
| 2． 6 小结 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-55页 |
| 第三章 行波电极特性分析 | 第55-68页 |
| 3． 1 行波调制的基本原理 | 第55-57页 |
| 3． 2 现有的工作成果 | 第57页 |
| 3． 3 有限电极厚度与电导率的行波分析 | 第57-64页 |
| 3． 3． 1 直线法分析有限厚度与电导率金属的原理 | 第58-63页 |
| 3． 3． 2 模拟结果分析 | 第63-64页 |
| 3． 4 共面波导的电极静态分析 | 第64-66页 |
| 3． 5 小结 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-68页 |
| 第四章 工艺与测试 | 第68-74页 |
| 4． 1 器件的制作流程 | 第68-69页 |
| 4． 2 测试结果 | 第69-72页 |
| 4． 2． 1 量子阱材料的X射线双晶衍射测量 | 第69-70页 |
| 4． 2． 2 静态特性 | 第70页 |
| 4． 2． 3 频率响应特性 | 第70-72页 |
| 4． 3 小结 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-74页 |
| 第五章 总结 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 附录：攻读硕士期间发表的论文 | 第76页 |