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若干半导体微结构非线性光学性质的理论研究

致谢第1-10页
第一章 绪论第10-26页
 §1.1 非线性光学及其研究方法简介第11-14页
 §1.2 低维半导体系统非线性光学性质研究现状第14-24页
  §1.2.1 低维半导体系统的极化率第15-19页
   §1.2.1.1 二阶非线性极化率第16-18页
   §1.2.1.2 三阶非线性极化率第18-19页
  §1.2.2 低维系统的喇曼效应第19-22页
  §1.2.3 光学双稳态第22-24页
 §1.3 本文研究工作概要第24-26页
第二章 柱形量子点中的三阶极化率第26-35页
 §2.1 Hamiltonian和电子能态第26-28页
 §2.2 三阶非线性极化率第28-32页
 §2.3 计算结果和讨论第32-35页
第三章 极化子效应对量子盘中三阶极化率的影响第35-47页
 §3.1 Hamiltonian和电子能态第35-38页
 §3.2 跃迁矩阵元第38-40页
 §3.3 计算结果和讨论第40-47页
第四章 随位置变化的有效质量引起的二阶非线性光学效应第47-53页
 §4.1 理论模型及公式第48-50页
 §4.2 计算结果和讨论第50-53页
第五章 量子盘中的一阶声子喇曼散射第53-63页
 §5.1 系统的Hamiltonian第53-55页
 §5.2 微分散射截面和选择定则第55-59页
 §5.3 计算结果与分析第59-63页
第六章 柱形量子点的一阶声子喇曼散射第63-69页
 §6.1 电子-声子相互作用Hamiltonian第63-65页
 §6.2 微分散射截面的计算和讨论第65-69页
第七章 柱形量子点本征型光学双稳态的研究第69-75页
 §7.1 理论模型第70-71页
 §7.2 计算和讨论第71-75页
第八章 结束语第75-78页
参考文献第78-87页
博士阶段主要发表的论文及完成的工作第87页

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