PECVD法制备P型非晶硅薄膜及多晶硅薄膜
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-27页 |
| ·非晶硅薄膜 | 第9-16页 |
| ·非晶硅薄膜的应用 | 第9-11页 |
| ·非晶硅的微观结构 | 第11-12页 |
| ·非晶硅材料的能带结构和电学性能 | 第12-14页 |
| ·a-Si材料和光致衰退机制 | 第14-15页 |
| ·非晶硅薄膜的掺杂机理 | 第15-16页 |
| ·多晶硅薄膜 | 第16-24页 |
| ·多晶硅薄膜的结构 | 第16页 |
| ·多晶硅薄膜的制备方法概述 | 第16-24页 |
| ·PECVD法制备薄膜的机理 | 第24-25页 |
| ·本文研究内容及目的 | 第25-27页 |
| 2 实验设计 | 第27-30页 |
| ·实验设备 | 第27-28页 |
| ·实验测试与表征方法 | 第28-30页 |
| ·X射线晶体衍射分析(XRD) | 第28页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第28页 |
| ·拉曼光谱(Raman) | 第28-29页 |
| ·薄膜厚度与光学性能测试 | 第29页 |
| ·薄膜样品电学性能测试 | 第29-30页 |
| 3 硼掺杂P型非晶硅薄膜制备实验 | 第30-47页 |
| ·射频功率对硼掺杂氢化非晶硅薄膜生长的影响 | 第30-35页 |
| ·薄膜的生长速率与结构分析 | 第30-33页 |
| ·射频功率对薄膜光电性能的影响 | 第33-35页 |
| ·硼烷掺杂浓度对氢化非晶硅薄膜生长的影响 | 第35-39页 |
| ·薄膜的生长速率与结构分析 | 第36-37页 |
| ·不同掺杂浓度对薄膜光电性能的影响 | 第37-39页 |
| ·衬底温度对硼掺杂氢化非晶硅薄膜生长的影响 | 第39-43页 |
| ·薄膜的生长速率与结构分析 | 第40-41页 |
| ·不同衬底温度对薄膜光电性能的影响 | 第41-43页 |
| ·碳掺杂P型非晶硅薄膜的光电性质研究 | 第43-45页 |
| ·本章小结 | 第45-47页 |
| 4 SiCl_4/H_2为气源制备多晶硅薄膜 | 第47-70页 |
| ·沉积功率对制备多晶硅薄膜的影响 | 第47-54页 |
| ·晶化率、沉积速率和形貌分析 | 第48-52页 |
| ·光学性质分析 | 第52-54页 |
| ·SiCl_4浓度对制备多晶硅薄膜的影响 | 第54-58页 |
| ·晶化率、沉积速率和形貌分析 | 第54-57页 |
| ·光学性质分析 | 第57-58页 |
| ·反应压强对制备多晶硅薄膜的影响 | 第58-62页 |
| ·晶化率、沉积速率和形貌分析 | 第58-61页 |
| ·光学性质分析 | 第61-62页 |
| ·反应温度对制备多晶硅薄膜的影响 | 第62-67页 |
| ·晶化率、沉积速率和形貌分析 | 第63-66页 |
| ·光学性质分析 | 第66-67页 |
| ·反应气体流量大小对薄膜晶化程度的影响 | 第67-69页 |
| ·本章小结 | 第69-70页 |
| 5 结论 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-77页 |
| 致谢 | 第77-78页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第78页 |
