高k电介质薄膜制备研究与集成薄膜电容探讨
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-14页 |
| 第1章 绪论 | 第14-42页 |
| ·高K电介质薄膜 | 第14-28页 |
| ·提高电介质介电常数的背景 | 第14-15页 |
| ·MOS管栅介质理论基础 | 第15-19页 |
| ·高k栅介质的性能要求 | 第19-24页 |
| ·高k电介质材料 | 第24-25页 |
| ·层叠结构高k栅介质 | 第25-27页 |
| ·本文的High-k电介质薄膜研究 | 第27-28页 |
| ·集成薄膜电容 | 第28-36页 |
| ·电容的性能要求 | 第28-29页 |
| ·无源集成 | 第29-31页 |
| ·集成薄膜电容 | 第31页 |
| ·MIM结构薄膜电容 | 第31-35页 |
| ·共面电极结构平面电容 | 第35-36页 |
| ·薄膜沉积工艺与检测设备 | 第36-39页 |
| ·薄膜沉积工艺 | 第36-37页 |
| ·薄膜检测设备 | 第37-39页 |
| ·论文研究内容与章节安排 | 第39-42页 |
| ·论文主要研究内容 | 第39-41页 |
| ·论文的章节安排 | 第41-42页 |
| 第2章 高K电介质薄膜制备及其性能研究 | 第42-69页 |
| ·反应溅射的理论研究 | 第42-48页 |
| ·反应溅射机理 | 第42-43页 |
| ·基本反应溅射模型 | 第43-45页 |
| ·双路反应气体溅射模型研究 | 第45-48页 |
| ·反应溅射制备SIO_XN_Y薄膜 | 第48-54页 |
| ·实验条件 | 第49页 |
| ·反应溅射模型的实证 | 第49-51页 |
| ·SiO_xN_y薄膜反应溅射方案的确立 | 第51-54页 |
| ·TIO_2薄膜制备研究 | 第54-59页 |
| ·实验条件 | 第54-55页 |
| ·溅射参数对TiO_2薄膜晶格结构的影响 | 第55-57页 |
| ·沉积后退火对TiO_2薄膜晶格结构的影响 | 第57-59页 |
| ·MOS电容的制备 | 第59-60页 |
| ·高K栅介质电容-电压特性研究 | 第60-63页 |
| ·积累态电容 | 第60-61页 |
| ·C-V曲线的漂移 | 第61-62页 |
| ·界面电学特性 | 第62-63页 |
| ·高K栅介质漏电特性研究 | 第63-66页 |
| ·高K栅介质电学性能讨论 | 第66-67页 |
| ·本章小结 | 第67-69页 |
| 第3章 MIM结构集成薄膜电容制备研究 | 第69-80页 |
| ·薄膜电容的制备 | 第69-70页 |
| ·实验条件 | 第69页 |
| ·陶瓷基片上集成薄膜电容的实现形式 | 第69-70页 |
| ·介质膜沉积后退火对电容性能的影响 | 第70-74页 |
| ·不同退火条件下的介质膜表面形貌 | 第71-73页 |
| ·沉积后退火对薄膜电容电学性能的影响 | 第73-74页 |
| ·偏压溅射对薄膜电容电学性能的影响 | 第74-78页 |
| ·实验条件 | 第74页 |
| ·偏压溅射后的绝缘强度 | 第74-76页 |
| ·偏压溅射后的介电性能 | 第76-78页 |
| ·本章小结 | 第78-80页 |
| 第4章 平面电容研究 | 第80-99页 |
| ·叉指形平面电容的静态参数提取研究 | 第80-86页 |
| ·经典的叉指电容静态参数提取方法 | 第80-81页 |
| ·基于保角变换的解析方法 | 第81-83页 |
| ·基于解析模型的叉指平面电容计算 | 第83-86页 |
| ·分形平面电容研究 | 第86-88页 |
| ·分形电容简介 | 第86-87页 |
| ·分形化叉指平面电容设计 | 第87-88页 |
| ·平面电容的高频分布参数研究 | 第88-89页 |
| ·平面电容仿真分析 | 第89-91页 |
| ·平面电容的制备和去耦测试 | 第91-94页 |
| ·陶瓷基底上平面电容的制备 | 第91-92页 |
| ·平面电容的去耦测试模型 | 第92-94页 |
| ·平面电容等效电路参数提取 | 第94-97页 |
| ·主要结论: | 第97-99页 |
| 第5章 总结 | 第99-102页 |
| 参考文献 | 第102-112页 |
| 已发表的相关学术论文 | 第112-113页 |
| 致谢 | 第113页 |
