| 提要 | 第1-7页 |
| 第一章 前言 | 第7-26页 |
| 第一节 传感器简介 | 第7-8页 |
| ·传感器的定义 | 第7页 |
| ·传感器的发展概况 | 第7-8页 |
| 第二节 气体传感器 | 第8-20页 |
| ·气体传感器的定义 | 第8页 |
| ·气体传感器的分类和工作原理 | 第8-12页 |
| ·气体传感器的发展方向 | 第12页 |
| ·半导体气敏元件 | 第12-15页 |
| ·半导体气敏元件的分类 | 第12-15页 |
| ·不同结构的比较 | 第15页 |
| ·电阻型金属氧化物半导体气敏元件的工作机理 | 第15页 |
| ·甲醛的危害性及研制甲醛气体传感器的意义 | 第15-16页 |
| ·甲醛测定方法 | 第16-19页 |
| ·室内甲醛浓度检测仪器的国内外研究现状 | 第19页 |
| ·半导体氧化物甲醛气体传感器发展概况 | 第19-20页 |
| 第三节 纳米材料概述 | 第20-26页 |
| ·纳米材料的发展概况 | 第20页 |
| ·纳米材料的特点及主要制备方法 | 第20-22页 |
| ·溶胶-凝胶法制备纳米晶材料简介 | 第22页 |
| ·TiO_2 的晶体结构和表面态 | 第22-25页 |
| ·本文的工作 | 第25-26页 |
| 第二章 TiO_2 纳米晶及其掺杂的制备和表征 | 第26-40页 |
| ·TiO_2 纳米材料及其掺杂的制备 | 第27-28页 |
| ·纳米晶TiO_2 的制备 | 第27-28页 |
| ·含有Ag掺杂离子的纳米晶TiO_2 的制备 | 第28页 |
| ·TiO_2 纳米晶的征 | 第28-38页 |
| ·纳米晶TiO_2 的X光电子能谱（XPS）分析 | 第28-30页 |
| ·X 射线衍射分析（XRD） | 第30-33页 |
| ·TiO_2 的XRD谱图 | 第31-32页 |
| ·纳米 TiO_2/A920的XRD谱图 | 第32-33页 |
| ·纳米晶TiO_2 的透射电镜分析（TEM） | 第33-34页 |
| ·纳米晶TiO_2 及其掺杂的比表面积测量 | 第34-38页 |
| ·纳米晶TiO_2 的比表面积测量 | 第36页 |
| ·掺Ag的纳米晶TiO_2 的比表面积测量 | 第36-38页 |
| ·纳米粉体In_2O_3 的制备 | 第38-39页 |
| ·纳米In_2O_3 的表征 | 第39-40页 |
| ·纳米In_2O_3 的X射线衍射分析( XRD ) | 第39-40页 |
| 第三章 元件的制作工艺及原理 | 第40-45页 |
| ·旁热式气敏元件制作工艺 | 第40-41页 |
| ·仪器及原理 | 第41-45页 |
| 第四章 TiO_2及其掺杂元件气敏性能的测量 | 第45-53页 |
| ·纯TiO_2 气敏元件对HCHO的基本特性 | 第45-47页 |
| ·灵敏度与焙烧温度的关系 | 第45-46页 |
| ·灵敏度-浓度特性 | 第46-47页 |
| ·TiO_2 及其掺杂气敏元件对HCHO的基本特性 | 第47-50页 |
| ·不同掺杂物对二氧化钛气敏性能的影响 | 第47-48页 |
| ·Ag~+ 离子掺杂的灵敏度-温度特性 | 第48-49页 |
| ·Ag~+ 离子掺杂的灵敏度-浓度特性 | 第49-50页 |
| ·元件的响应-恢复特性 | 第50-51页 |
| ·元件的选择性 | 第51-52页 |
| ·元件的稳定性 | 第52-53页 |
| 第五章 TiO_2 及其掺杂元件机理探讨 | 第53-54页 |
| ·导电机理 | 第53页 |
| ·敏感机理 | 第53-54页 |
| 第六章 纳米氧化铟材料的甲醛气敏特性研究 | 第54-57页 |
| ·电阻-温度曲线 | 第54-55页 |
| ·灵敏度-温度曲线 | 第55-56页 |
| ·灵敏度-浓度曲线 | 第56页 |
| ·元件的响应-恢复特性 | 第56-57页 |
| 结论 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 摘要 | 第67-68页 |
| Abstract | 第68页 |