| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-7页 |
| 第一章 射频识别技术概述 | 第7-14页 |
| ·射频识别技术的基本概念 | 第7页 |
| ·射频识别技术的不同分类方法 | 第7-9页 |
| ·电子标签的应用范围 | 第9-10页 |
| ·RFID 的现行标准 | 第10-11页 |
| ·电子标签的发展趋势 | 第11-13页 |
| ·本文研究内容 | 第13-14页 |
| 第二章 RFID 技术的工作原理 | 第14-25页 |
| ·RFID 系统技术基础 | 第14-16页 |
| ·RFID 系统的构成 | 第14-16页 |
| ·RFID 系统的基本工作流程 | 第16页 |
| ·RFID 系统工作的物理学原理 | 第16-21页 |
| ·相关的电磁场基本理论 | 第16-18页 |
| ·数据传输原理 | 第18-20页 |
| ·反向散射调制的能量传输 | 第20-21页 |
| ·超高频无源应答器的工作原理 | 第21-25页 |
| ·天线 | 第22页 |
| ·模拟前端 | 第22-23页 |
| ·数字处理系统 | 第23-25页 |
| 第三章 RFID 系统调制解调理论研究 | 第25-37页 |
| ·调制 | 第25-28页 |
| ·标准调幅（AM） | 第25-26页 |
| ·抑制载波双边带调幅（DSB） | 第26-27页 |
| ·单边带调幅（SSB） | 第27页 |
| ·幅移键控（ASK） | 第27-28页 |
| ·解调 | 第28-33页 |
| ·二极管峰值包络检测基本原理 | 第29-32页 |
| ·包络检测器的失真 | 第32-33页 |
| ·ISO18000-6 系列协议关于标签物理层的规定 | 第33-37页 |
| ·ISO18000-6 Type A、Type B、Type C 协议总体比较 | 第33-34页 |
| ·Type C 协议关于物理层的定义 | 第34-37页 |
| 第四章 电路设计 | 第37-51页 |
| ·解调电路的设计 | 第37-42页 |
| ·调制与反向发射模块的设计 | 第42-44页 |
| ·上电复位模块的设计 | 第44-48页 |
| ·CMOS 基准源 | 第48-51页 |
| 第五章 版图设计 | 第51-59页 |
| ·版图设计的基本设计思想 | 第51-54页 |
| ·芯片各模块版图设计 | 第54-57页 |
| ·解调电路版图设计 | 第54-55页 |
| ·反向发射模块版图设计 | 第55页 |
| ·上电复位电路版图设计 | 第55-56页 |
| ·CMOS 基准源电路版图设计 | 第56-57页 |
| ·模拟前端总体版图设计 | 第57-59页 |
| 第六章 总结 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-63页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64页 |