| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-20页 |
| ·透明导电氧化物的研究背景及研究意义 | 第10-11页 |
| ·CuA10_2薄膜的国内外研究现状及分析 | 第11-13页 |
| ·p型透明导电氧化物CuA10_2的晶体结构和能带结构 | 第13-16页 |
| ·CuA10_2的晶体结构 | 第13-15页 |
| ·CuA10_2的电子结构 | 第15-16页 |
| ·CuA10_2的能带结构 | 第16页 |
| ·CuA10_2薄膜材料的特性 | 第16-18页 |
| ·CuA10_2薄膜的电学性质 | 第16-17页 |
| ·CuA10_2薄膜的光学性质 | 第17页 |
| ·CuA10_2薄膜的热电性能 | 第17-18页 |
| ·CuA10_2薄膜的其他性能 | 第18页 |
| ·本文的研究内容及创新点 | 第18-20页 |
| 第2章 CuA10_2薄膜的制备以及表征方法 | 第20-27页 |
| ·CuA10_2薄膜的制备方法 | 第20-22页 |
| ·脉冲激光沉积（PLD）法 | 第20-21页 |
| ·磁控溅射法 | 第21页 |
| ·化学气相沉积（CVD） | 第21页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第21-22页 |
| ·喷涂热分解法 | 第22页 |
| ·CuA10_2薄膜的表征方法 | 第22-26页 |
| ·薄膜的相结构分析 | 第22-23页 |
| ·薄膜的形貌分析 | 第23页 |
| ·薄膜的成分分析 | 第23-24页 |
| ·薄膜的电学性能测试 | 第24-26页 |
| ·薄膜的光学性能测试 | 第26页 |
| ·本章小结 | 第26-27页 |
| 第3章 CuA10_2陶瓷的制备与物性研究 | 第27-37页 |
| ·CuA10_2陶瓷的制备工艺 | 第27-28页 |
| ·固相反应法合成CuA10_2陶瓷 | 第27-28页 |
| ·CuA10_2陶瓷的结构分析 | 第28-31页 |
| ·CuA10_2陶瓷的XRD分析 | 第28-29页 |
| ·CuA1_(1-x)M_x0-2（M=Mg、Ca）陶瓷的XRD分析 | 第29-31页 |
| ·CuA10_2陶瓷的断面形貌分析 | 第31页 |
| ·CuA10_2陶瓷的电学性能分析 | 第31-36页 |
| ·未掺杂的CuA10_2陶瓷的电学性能分析 | 第31-33页 |
| ·CuA1_(1-x)M_x0-2（M=Mg、Ca）陶瓷的电学性能分析 | 第33-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第4章 CuA10_2薄膜的制备与物性研究 | 第37-56页 |
| ·PLD法制备CuA10_2薄膜 | 第37-40页 |
| ·PLD原理 | 第37-39页 |
| ·PLD法制备CuA10_2薄膜的实验流程 | 第39-40页 |
| ·CuA10_2薄膜的实验条件 | 第40页 |
| ·CuA10_2薄膜的结构特性 | 第40-45页 |
| ·衬底温度对CuA10_2薄膜结构的影响 | 第40-42页 |
| ·氧分压对CuA10_2 薄膜结构的影响 | 第42页 |
| ·激光能量和靶基距对CuA10_2薄膜结构的影响 | 第42-44页 |
| ·Al位掺杂对CuA10_2薄膜结构的影响 | 第44-45页 |
| ·CuA10_2薄膜的形貌分析 | 第45-47页 |
| ·CuA10_2薄膜的透射光谱 | 第47-53页 |
| ·衬底温度对CuA10_2薄膜透射光谱的影响 | 第47-48页 |
| ·氧分压对CuA10_2薄膜透射光谱的影响 | 第48-49页 |
| ·掺杂对CuA10_2薄膜透射光谱的影响 | 第49-50页 |
| ·薄膜光学性能的热稳定性 | 第50-51页 |
| ·薄膜禁带宽度的计算 | 第51-53页 |
| ·CuA10_2薄膜的电学性质 | 第53-55页 |
| ·衬底温度对CuA10_2薄膜电学性能的影响 | 第53-54页 |
| ·氧分压对CuA10_2薄膜电学性能的影响 | 第54-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 结论 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63页 |
