| 致谢 | 第4-5页 |
| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 1 引言 | 第11-13页 |
| 2 文献综述 | 第13-39页 |
| 2.1 绝缘体自旋电子学简介 | 第13-20页 |
| 2.1.1 基本概念 | 第13-16页 |
| 2.1.2 研究进展 | 第16-20页 |
| 2.2 自旋霍尔效应 | 第20-24页 |
| 2.3 自旋塞贝克效应 | 第24-28页 |
| 2.4 几种新型磁电阻效应 | 第28-36页 |
| 2.4.1 自旋霍尔磁电阻效应 | 第29-32页 |
| 2.4.2 磁振子拖拽磁电阻效应 | 第32-36页 |
| 2.5 钇铁石榴石YIG | 第36-39页 |
| 3 样品制备表征与测试 | 第39-49页 |
| 3.1 薄膜的制备与加工 | 第39-45页 |
| 3.1.1 脉冲激光沉积 | 第39-41页 |
| 3.1.2 磁控溅射仪 | 第41-42页 |
| 3.1.3 电子束曝光 | 第42-44页 |
| 3.1.4 氩离子刻蚀 | 第44-45页 |
| 3.2 薄膜性能的表征 | 第45-48页 |
| 3.2.1 X射线衍射(XRD) | 第45-46页 |
| 3.2.2 X射线反射(XRR) | 第46页 |
| 3.2.3 原子力显微镜(AFM) | 第46-47页 |
| 3.2.4 振动磁强计(VSM) | 第47-48页 |
| 3.3 样品的测试 | 第48-49页 |
| 4 YIG/Pt非局域结构中的磁振子输运研究 | 第49-65页 |
| 4.1 研究背景 | 第49-51页 |
| 4.2 YIG/Pt非局域器件的制备与测试 | 第51-54页 |
| 4.2.1 纳米厚度YIG薄膜的制备与Pt生长 | 第51-53页 |
| 4.2.2 YIG/Pt非局域结构制备与测试 | 第53-54页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第54-63页 |
| 4.3.1 非局域电压信号的分离 | 第54-56页 |
| 4.3.2 不同电流下的非局域输运特征 | 第56-59页 |
| 4.3.3 焦耳热的影响 | 第59-60页 |
| 4.3.4 磁振子频率的影响 | 第60-61页 |
| 4.3.5 通道距离与磁场的影响 | 第61-63页 |
| 4.4 结论 | 第63-65页 |
| 5 YIG/Pt中局域与非局域自旋塞贝克效应的对比研究 | 第65-76页 |
| 5.1 研究背景 | 第65-66页 |
| 5.2 实验方法 | 第66-67页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第67-74页 |
| 5.3.1 对比测试结果的定性分析 | 第67-70页 |
| 5.3.2 对比测试结果的定量分析 | 第70-74页 |
| 5.4 结论 | 第74-76页 |
| 6 YIG/IrMn结构中自旋输运的研究 | 第76-91页 |
| 6.1 研究背景 | 第76-77页 |
| 6.2 实验方法 | 第77-79页 |
| 6.3 结果与讨论 | 第79-90页 |
| 6.3.1 自旋输运对电流的依赖关系 | 第79-83页 |
| 6.3.2 自旋输运对磁场与通道距离的依赖关系 | 第83-88页 |
| 6.3.3 自旋输运对温度的依赖关系 | 第88-90页 |
| 6.4 结论 | 第90-91页 |
| 7 YIG/Cr_2O_3/Pt结构中自旋输运的研究 | 第91-108页 |
| 7.1 研究背景 | 第91-92页 |
| 7.2 实验方法 | 第92-95页 |
| 7.3 结果与讨论 | 第95-106页 |
| 7.3.1 YIG/Cr_2O_3/Pt结构中的SMR效应 | 第95-102页 |
| 7.3.2 YIG/Cr_2O_3/Pt结构中的非局域磁振子输运 | 第102-106页 |
| 7.4 结论 | 第106-108页 |
| 8 结论 | 第108-111页 |
| 参考文献 | 第111-129页 |
| 作者简历及在学研究成果 | 第129-133页 |
| 学位论文数据集 | 第133页 |
