| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 主要符号对照表 | 第14-15页 |
| 第一章 引言 | 第15-31页 |
| 1.1 马约拉纳费米子与马约拉纳零能模 | 第17-26页 |
| 1.1.1 马约拉纳方程 | 第17-19页 |
| 1.1.2 超导体中的马约拉纳零能模 | 第19-24页 |
| 1.1.3 存在马约拉纳零能模的物理系统 | 第24-26页 |
| 1.2 本论文主要工作 | 第26-28页 |
| 参考文献 | 第28-31页 |
| 第二章 低维物理实验技术和原理 | 第31-61页 |
| 2.1 超高真空技术 | 第31-40页 |
| 2.1.1 真空的概念 | 第32-33页 |
| 2.1.2 真空的获得与测量 | 第33-37页 |
| 2.1.3 超高真空系统的结构与使用 | 第37-40页 |
| 2.2 分子束外延生长技术 | 第40-44页 |
| 2.2.1 薄膜生长中的物理过程 | 第40-41页 |
| 2.2.2 分子束外延生长系统 | 第41-44页 |
| 2.3 超低温技术和强磁场技术 | 第44-48页 |
| 2.3.1 超低温技术 | 第45-47页 |
| 2.3.2 强磁场技术 | 第47-48页 |
| 2.4 扫描隧道显微镜和扫描隧道谱 | 第48-56页 |
| 2.4.1 扫描隧道显微镜的成像原理 | 第48-52页 |
| 2.4.2 扫描隧道显微镜的结构与使用 | 第52-56页 |
| 2.5 本章总结 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 第三章 马约拉纳零能模的自旋选择性安德烈夫反射 | 第61-85页 |
| 3.1 人造拓扑超导体 | 第61-68页 |
| 3.1.1 拓扑绝缘体超导体异质结 | 第61-65页 |
| 3.1.2 异质结中的近邻效应 | 第65-68页 |
| 3.2 马约拉纳零能模的空间分布 | 第68-73页 |
| 3.2.1 零能电导峰 | 第70-71页 |
| 3.2.2 零能电导峰的劈裂 | 第71-73页 |
| 3.3 马约拉纳零能模的自旋选择性安德烈夫反射 | 第73-78页 |
| 3.3.1 自旋选择性安德烈夫反射的理论模型 | 第73-74页 |
| 3.3.2 自旋选择性安德烈夫反射的实验结果与理论计算 | 第74-75页 |
| 3.3.3 自旋选择性安德烈夫反射与其他MZM实验结果的自洽性 | 第75-78页 |
| 3.4 本章总结 | 第78-80页 |
| 参考文献 | 第80-85页 |
| 第四章 超薄Bi薄膜的边缘态 | 第85-115页 |
| 4.1 二维拓扑绝缘体 | 第86-92页 |
| 4.1.1 HgTe量子阱 | 第86-89页 |
| 4.1.2 Bismuth薄膜 | 第89-92页 |
| 4.2 NbSe_2上外延生长超薄Bi薄膜 | 第92-98页 |
| 4.2.1 Bi(110) 向Bi(111) 的转变 | 第92-96页 |
| 4.2.2 Bi(110) 相的多层膜 | 第96-98页 |
| 4.3 超薄Bi薄膜的电子态 | 第98-110页 |
| 4.3.1 Bi(111) 的边缘态 | 第99-105页 |
| 4.3.2 Bi薄膜上的近邻效应 | 第105-106页 |
| 4.3.3 Bi(110) 表面的量子阱态 | 第106-110页 |
| 4.4 本章总结 | 第110-111页 |
| 参考文献 | 第111-115页 |
| 第五章 探索本征拓扑超导体FeTe_(1-x)Se_x的制备 | 第115-137页 |
| 5.1 Fe_(1+y)Te_(1-x)Se_x的拓扑性质 | 第116-120页 |
| 5.2 FeTe和FeSe在石墨烯表面的外延生长 | 第120-126页 |
| 5.2.1 FeSe的外延生长 | 第120-123页 |
| 5.2.2 FeTe的外延生长 | 第123-126页 |
| 5.3 FeTe_(1-x)Se_x在石墨烯表面的外延生长 | 第126-130页 |
| 5.4 本章总结 | 第130-133页 |
| 参考文献 | 第133-137页 |
| 全文总结 | 第137-139页 |
| 致谢 | 第139-141页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第141-143页 |
