| 提要 | 第1-6页 |
| 目录 | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-53页 |
| ·纳米晶的自组装 | 第9-19页 |
| ·概述:自组装与超晶体 | 第9-10页 |
| ·纳米晶的胶体晶体自组装 | 第10-16页 |
| ·在溶液中的自组装 | 第10-12页 |
| ·在基底上的自组装 | 第12-13页 |
| ·二元自组装超晶体 | 第13-16页 |
| ·推动自组装的其他方法 | 第16-17页 |
| ·自组装的驱动力 | 第17-19页 |
| ·特殊形貌纳米晶的合成 | 第19-26页 |
| ·各向异性的0D纳米晶的制备 | 第20-21页 |
| ·1D纳米晶的制备 | 第21-23页 |
| ·2D纳米晶的制备 | 第23-24页 |
| ·纳米晶的生长机理 | 第24-26页 |
| ·晶核的晶型 | 第24-25页 |
| ·晶面能效应 | 第25页 |
| ·生长过程的控制 | 第25-26页 |
| ·特殊形貌纳米晶的自组装 | 第26-34页 |
| ·溶剂挥发法 | 第26-30页 |
| ·LB法 | 第30-32页 |
| ·过饱和溶液法 | 第32-33页 |
| ·其它方法 | 第33-34页 |
| ·组装结构的性能和应用 | 第34-37页 |
| ·光学性能 | 第35-36页 |
| ·电学性能 | 第36页 |
| ·磁学性能 | 第36-37页 |
| ·本论文的选题及设计思路 | 第37-38页 |
| 参考文献 | 第38-53页 |
| 第二章 多面体形PbS纳米晶的制备、调控及机理研究 | 第53-71页 |
| ·引言 | 第53-54页 |
| ·实验部分 | 第54-55页 |
| ·实验材料 | 第54页 |
| ·实验步骤 | 第54-55页 |
| ·测试仪器 | 第55页 |
| ·结果与讨论 | 第55-67页 |
| ·正八面体形PbS纳米晶的合成及尺寸调节 | 第55-58页 |
| ·PbS纳米晶的形貌调节 | 第58-59页 |
| ·生长机理研究 | 第59-64页 |
| ·体系pH的确定 | 第59-60页 |
| ·纳米晶的一般生长规律 | 第60页 |
| ·CTAB的影响 | 第60-62页 |
| ·TAA浓度的影响 | 第62-63页 |
| ·Pb(Ac)_2浓度的影响及树枝状PbS形成机理 | 第63-64页 |
| ·PbS纳米晶的光学性质 | 第64-65页 |
| ·PbS纳米晶的高压相变 | 第65-67页 |
| ·本章小结 | 第67-71页 |
| 第三章 溶剂挥发法制备PbS超晶体 | 第71-99页 |
| ·引言 | 第71-73页 |
| ·实验部分 | 第73-76页 |
| ·实验材料 | 第73页 |
| ·实验步骤 | 第73-75页 |
| ·PbS分散液的准备 | 第73页 |
| ·分散液浓度的测定 | 第73-74页 |
| ·基底的处理 | 第74-75页 |
| ·PbS纳米晶在硅片上的自组装 | 第75页 |
| ·测试仪器 | 第75-76页 |
| ·结果与讨论 | 第76-93页 |
| ·超晶体的形成过程 | 第76页 |
| ·正八面体形PbS的超晶体 | 第76-84页 |
| ·区域Ⅰ | 第78-81页 |
| ·区域Ⅱ | 第81-82页 |
| ·区域Ⅲ | 第82-84页 |
| ·尺寸和形貌对超晶体的影响 | 第84-88页 |
| ·尺寸效应 | 第84-86页 |
| ·形貌效应 | 第86-88页 |
| ·自组装的驱动力 | 第88-89页 |
| ·自组装的影响因素 | 第89-93页 |
| ·溶剂挥发速度的影响 | 第89-90页 |
| ·CTAB浓度的影响 | 第90-91页 |
| ·基底电荷的影响 | 第91-92页 |
| ·PbS纳米晶浓度的影响 | 第92-93页 |
| ·本章小结 | 第93-99页 |
| 第四章 垂直沉积法制备PbS超晶体 | 第99-119页 |
| ·引言 | 第99-100页 |
| ·实验部分 | 第100-102页 |
| ·实验材料 | 第100页 |
| ·基片的处理 | 第100-102页 |
| ·硅基片的处理 | 第100-101页 |
| ·ITO基片的处理 | 第101页 |
| ·PDMS膜基底的处理 | 第101-102页 |
| ·垂直沉积法组装PbS纳米晶 | 第102页 |
| ·超晶体膜为模板电沉积聚吡咯 | 第102页 |
| ·测试仪器 | 第102页 |
| ·结果与讨论 | 第102-114页 |
| ·在硅基片上的自组装 | 第102-110页 |
| ·基片表面浸润性的影响 | 第103-105页 |
| ·在图案化基片上的自组装 | 第105-107页 |
| ·温度的影响 | 第107-108页 |
| ·PbS纳米晶浓度的影响 | 第108-110页 |
| ·在ITO基片上的自组装 | 第110-111页 |
| ·以超晶体为模板电沉积聚吡咯 | 第111-112页 |
| ·在PDMS膜上的自组装 | 第112-114页 |
| ·本章小结 | 第114页 |
| 参考文献 | 第114-119页 |
| 作者简历及发表成果 | 第119-121页 |
| 致谢 | 第121-123页 |
| 中文摘要 | 第123-125页 |
| Abstract | 第125-126页 |