6kV/3kA逆导型门极换流晶闸管的研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第10-11页 |
| 缩略语对照表 | 第11-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-20页 |
| 1.1 课题背景及研究的目的和意义 | 第14-15页 |
| 1.2 国内外研究现状及分析 | 第15-16页 |
| 1.3 设计的改进 | 第16-17页 |
| 1.4 工艺的改进 | 第17页 |
| 1.5 本文的研究内容和结构安排 | 第17-20页 |
| 第二章 门极换流晶闸管的工作原理和结构类型 | 第20-24页 |
| 2.1 引言 | 第20页 |
| 2.2 GCT的基本结构和特点 | 第20-21页 |
| 2.2.1 GCT的基本结构 | 第20-21页 |
| 2.2.2 RC-GCT的结构特点 | 第21页 |
| 2.3 RC-GCT的工作原理 | 第21-23页 |
| 2.3.1 GCT的开通 | 第21-22页 |
| 2.3.2 GCT的关断 | 第22页 |
| 2.3.3 GCT和GTO的比较 | 第22-23页 |
| 2.4 本章小结 | 第23-24页 |
| 第三章 结构设计 | 第24-30页 |
| 3.1 沟槽隔离的提出 | 第24-25页 |
| 3.2 门阴极图形的设计 | 第25-27页 |
| 3.2.1 采用梯形状的阴极单元 | 第26-27页 |
| 3.2.2 集成二极管放在芯片中心 | 第27页 |
| 3.3 结终端处理 | 第27-29页 |
| 3.4 本章小结 | 第29-30页 |
| 第四章 逆导型门极换流晶闸管的特性分析 | 第30-46页 |
| 4.1 引言 | 第30页 |
| 4.2 仿真器件结构图 | 第30-33页 |
| 4.3 逆导型门极换流晶闸管的门极特性 | 第33-34页 |
| 4.4 阻断特性 | 第34-40页 |
| 4.4.1 基区对阻断特性的影响 | 第35页 |
| 4.4.2 缓冲层对阻断特性的影响 | 第35-37页 |
| 4.4.3 透明阳极对阻断特性的影响 | 第37-40页 |
| 4.5 门极换流晶闸管的开关特性 | 第40-43页 |
| 4.5.1 开通特性 | 第41-42页 |
| 4.5.2 关断特性 | 第42-43页 |
| 4.6 反向恢复特性 | 第43-44页 |
| 4.7 本章小结 | 第44-46页 |
| 第五章 工艺分析及研究 | 第46-60页 |
| 5.1 工艺分析 | 第46页 |
| 5.2 工艺流程和相应的结构形成示意图 | 第46-52页 |
| 5.3 扩散工艺 | 第52-53页 |
| 5.3.1 扩散工艺的主要工作介绍 | 第52-53页 |
| 5.3.2 扩散工艺的一些特殊工艺方法介绍 | 第53页 |
| 5.4 光刻工艺 | 第53-55页 |
| 5.4.1 光刻工艺的主要工作介绍 | 第54页 |
| 5.4.2 光刻工艺的环境因素 | 第54-55页 |
| 5.5 电子辐照 | 第55-56页 |
| 5.6 测试 | 第56-57页 |
| 5.7 RC-GCT和GTO关断特性的比较 | 第57页 |
| 5.8 终测 | 第57-59页 |
| 5.9 本章小结 | 第59-60页 |
| 第六章 结论 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64-66页 |
| 作者简介 | 第66-67页 |
