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6kV/3kA逆导型门极换流晶闸管的研究

摘要第5-6页
ABSTRACT第6-7页
符号对照表第10-11页
缩略语对照表第11-14页
第一章 绪论第14-20页
    1.1 课题背景及研究的目的和意义第14-15页
    1.2 国内外研究现状及分析第15-16页
    1.3 设计的改进第16-17页
    1.4 工艺的改进第17页
    1.5 本文的研究内容和结构安排第17-20页
第二章 门极换流晶闸管的工作原理和结构类型第20-24页
    2.1 引言第20页
    2.2 GCT的基本结构和特点第20-21页
        2.2.1 GCT的基本结构第20-21页
        2.2.2 RC-GCT的结构特点第21页
    2.3 RC-GCT的工作原理第21-23页
        2.3.1 GCT的开通第21-22页
        2.3.2 GCT的关断第22页
        2.3.3 GCT和GTO的比较第22-23页
    2.4 本章小结第23-24页
第三章 结构设计第24-30页
    3.1 沟槽隔离的提出第24-25页
    3.2 门阴极图形的设计第25-27页
        3.2.1 采用梯形状的阴极单元第26-27页
        3.2.2 集成二极管放在芯片中心第27页
    3.3 结终端处理第27-29页
    3.4 本章小结第29-30页
第四章 逆导型门极换流晶闸管的特性分析第30-46页
    4.1 引言第30页
    4.2 仿真器件结构图第30-33页
    4.3 逆导型门极换流晶闸管的门极特性第33-34页
    4.4 阻断特性第34-40页
        4.4.1 基区对阻断特性的影响第35页
        4.4.2 缓冲层对阻断特性的影响第35-37页
        4.4.3 透明阳极对阻断特性的影响第37-40页
    4.5 门极换流晶闸管的开关特性第40-43页
        4.5.1 开通特性第41-42页
        4.5.2 关断特性第42-43页
    4.6 反向恢复特性第43-44页
    4.7 本章小结第44-46页
第五章 工艺分析及研究第46-60页
    5.1 工艺分析第46页
    5.2 工艺流程和相应的结构形成示意图第46-52页
    5.3 扩散工艺第52-53页
        5.3.1 扩散工艺的主要工作介绍第52-53页
        5.3.2 扩散工艺的一些特殊工艺方法介绍第53页
    5.4 光刻工艺第53-55页
        5.4.1 光刻工艺的主要工作介绍第54页
        5.4.2 光刻工艺的环境因素第54-55页
    5.5 电子辐照第55-56页
    5.6 测试第56-57页
    5.7 RC-GCT和GTO关断特性的比较第57页
    5.8 终测第57-59页
    5.9 本章小结第59-60页
第六章 结论第60-62页
参考文献第62-64页
致谢第64-66页
作者简介第66-67页

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