铅掺杂碘化铟多晶薄膜制备及半导体性能分析
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-15页 |
| 1.1 半导体薄膜材料概述 | 第10-11页 |
| 1.2 掺杂半导体薄膜材料的研究现状 | 第11-12页 |
| 1.3 InI半导体材料研究现状 | 第12-13页 |
| 1.4 课题研究的目的及意义 | 第13-14页 |
| 1.5 本文研究的主要内容 | 第14-15页 |
| 第2章 半导体薄膜的形成机制 | 第15-22页 |
| 2.1 引言 | 第15页 |
| 2.2 半导体薄膜形成过程 | 第15-18页 |
| 2.2.1 吸附过程 | 第15页 |
| 2.2.2 表面扩散过程 | 第15-16页 |
| 2.2.3 凝结过程 | 第16-18页 |
| 2.3 晶核形成与生长的物理过程 | 第18-19页 |
| 2.4 晶核形成理论 | 第19-21页 |
| 2.4.1 热力学界面能理论 | 第19-20页 |
| 2.4.2 原子聚集理论 | 第20-21页 |
| 2.5 本章小结 | 第21-22页 |
| 第3章 碘化铟多晶薄膜制备及性能分析 | 第22-39页 |
| 3.1 引言 | 第22页 |
| 3.2 半导体薄膜的制备技术 | 第22-25页 |
| 3.2.1 真空蒸发镀膜 | 第22-23页 |
| 3.2.2 溅射镀膜 | 第23-24页 |
| 3.2.3 分子束外延技术 | 第24-25页 |
| 3.2.4 化学气相沉积 | 第25页 |
| 3.3 薄膜的形成方式 | 第25-27页 |
| 3.3.1 岛状成膜 | 第25-26页 |
| 3.3.2 层状成膜 | 第26-27页 |
| 3.3.3 层岛结合成膜 | 第27页 |
| 3.4 InI多晶薄膜制备过程 | 第27-28页 |
| 3.5 InI多晶薄膜的性能分析 | 第28-37页 |
| 3.5.1 InI多晶薄膜的形貌分析 | 第28-30页 |
| 3.5.2 InI多晶薄膜结构分析 | 第30-33页 |
| 3.5.3 InI多晶薄膜的光学性能分析 | 第33-37页 |
| 3.5.4 InI多晶薄膜的电学性能分析 | 第37页 |
| 3.6 本章小结 | 第37-39页 |
| 第4章 铅掺杂碘化铟多晶薄膜制备及性能分析 | 第39-54页 |
| 4.1 引言 | 第39页 |
| 4.2 Pb:InI多晶合成及提纯 | 第39-42页 |
| 4.3 Pb:InI多晶结构分析 | 第42-45页 |
| 4.3.1 Pb:InI多晶的SEM-EDS分析 | 第42-44页 |
| 4.3.2 Pb:InI多晶的XRD分析 | 第44-45页 |
| 4.4 Pb:InI多晶薄膜制备过程 | 第45-46页 |
| 4.5 Pb:InI多晶薄膜的半导体性能分析 | 第46-52页 |
| 4.5.1 Pb:InI多晶薄膜的形貌分析 | 第46-47页 |
| 4.5.2 Pb:InI多晶薄膜的结构分析 | 第47-49页 |
| 4.5.3 Pb:InI多晶薄膜的光学性质 | 第49-52页 |
| 4.5.4 Pb:InI多晶薄膜的电学性质 | 第52页 |
| 4.6 本章小结 | 第52-54页 |
| 结论 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 攻读硕士学位期间承担的科研任务与主要成果 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61页 |
