| 中文摘要 | 第3-5页 |
| 英文摘要 | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-27页 |
| 1.1 固态相变材料 | 第9-16页 |
| 1.1.1 相变材料的主要类型 | 第9-10页 |
| 1.1.2 非易失相变材料的工作机制及典型应用 | 第10-16页 |
| 1.2 非易失相变材料研究现状 | 第16-23页 |
| 1.2.1 Sb-Te的掺杂和改性 | 第17-19页 |
| 1.2.2 Ge_2Sb_2Te_5的掺杂和改性 | 第19-23页 |
| 1.3 光学相变材料的现存问题 | 第23-24页 |
| 1.4 本文的研究目的、意义及研究内容 | 第24-25页 |
| 1.5 本章小结 | 第25-27页 |
| 2 新型光学相变材料设计的理论基础 | 第27-43页 |
| 2.1 硫系玻璃的光吸收与材料的选择 | 第28-30页 |
| 2.2 Se与Te对材料性质的影响预期 | 第30-40页 |
| 2.2.1 对材料折射率的影响 | 第30-33页 |
| 2.2.2 对晶化能力的影响 | 第33-35页 |
| 2.2.3 对非晶形成能力的影响 | 第35-37页 |
| 2.2.4 对相变性能的影响 | 第37-40页 |
| 2.3 从Ge_2Sb_2Te_5到Ge_2Sb_2Se_xTe_(5-x)体系 | 第40-41页 |
| 2.4 本章小结 | 第41-43页 |
| 3 Ge_2Sb_2Se_xTe_(5-x)体系薄膜性能 | 第43-81页 |
| 3.1 经典相变材料Ge_2Sb_2Te_5的薄膜性能 | 第43-59页 |
| 3.1.1 闪蒸法薄膜沉积 | 第43-45页 |
| 3.1.2 沉积薄膜的表征 | 第45-47页 |
| 3.1.3 非晶薄膜的相转变特征 | 第47-50页 |
| 3.1.4 Ge_2Sb_2Te_5薄膜的光学性能 | 第50-59页 |
| 3.2 Ge_2Sb_2Se_xTe_(5-x)(x=1,2,3,4,5)的薄膜性能 | 第59-76页 |
| 3.2.1 非晶薄膜的相转变特征 | 第59-63页 |
| 3.2.2 非晶态Ge_2Sb_2Se_xTe_(5-x)薄膜的光学性能 | 第63-69页 |
| 3.2.3 晶态Ge_2Sb_2Se_xTe_(5-x)薄膜的光学性能 | 第69-76页 |
| 3.3 Ge_2Sb_2Se_4Te_1新型光学相变材料 | 第76-79页 |
| 3.3.1 光学相变材料的优度值 | 第76-77页 |
| 3.3.2 相结构与相变性能 | 第77-79页 |
| 3.4 本章小结 | 第79-81页 |
| 4 基于新型相变材料Ge_2Sb_2Se_4Te_1的集成光学器件 | 第81-107页 |
| 4.1 波导器件中非晶态Ge_2Sb_2Se_4Te_1损耗上限 | 第81-96页 |
| 4.1.1 测试器件设计 | 第81-88页 |
| 4.1.2 器件的制备 | 第88-94页 |
| 4.1.3 非晶态透明的GSS4T | 第94-96页 |
| 4.2 基于Ge_2Sb_2Se_4Te_1的集成光开关 | 第96-105页 |
| 4.2.1 O-PCM集成的SiN微环形谐振腔设计 | 第97-102页 |
| 4.2.2 GSS_4T_1光开关性能测试与分析 | 第102-103页 |
| 4.2.3 GSS_4T_1与GST光开关性能对比 | 第103-105页 |
| 4.3 本章小结 | 第105-107页 |
| 5 用于多光谱成像的Ge_2Sb_2Se_4Te_1宽波段可调谐滤光片设计 | 第107-123页 |
| 5.1 基于新型宽波段滤光片的多光谱成像系统原理 | 第107-109页 |
| 5.2 可调谐滤光片的设计方法 | 第109-114页 |
| 5.2.1 传输矩阵法计算光学膜系的透射谱 | 第109-112页 |
| 5.2.2 奇异值分解与信号重建率 | 第112-114页 |
| 5.3 滤波片的仿真设计与优化 | 第114-121页 |
| 5.3.1 各层薄膜参数及操作波段的优化 | 第114-116页 |
| 5.3.2 探测器噪声影响下的信号重建 | 第116-118页 |
| 5.3.3 滤光片“态”偏离影响下的信号重建 | 第118-121页 |
| 5.4 本章小结 | 第121-123页 |
| 6 结论与展望 | 第123-125页 |
| 致谢 | 第125-129页 |
| 参考文献 | 第129-141页 |
| 附录 | 第141-142页 |
