| 摘要 | 第2-3页 |
| Abstract | 第3-4页 |
| 1 绪论 | 第8-21页 |
| 1.1 GaN的基本性质 | 第8-11页 |
| 1.1.1 GaN的物理性质 | 第8-10页 |
| 1.1.2 GaN的化学性质 | 第10页 |
| 1.1.3 GaN的光学性质 | 第10页 |
| 1.1.4 GaN的电学性质 | 第10-11页 |
| 1.2 GaN在电子器件方面的应用简介 | 第11-13页 |
| 1.2.1 GaN基LED | 第11-12页 |
| 1.2.2 太阳能电池 | 第12页 |
| 1.2.3 GaN基蓝光LD | 第12页 |
| 1.2.4 高功率电子器件 | 第12-13页 |
| 1.3 GaN薄膜制备技术 | 第13-16页 |
| 1.3.1 氢化物气相外延(HVPE) | 第13-14页 |
| 1.3.2 分子束外延(MBE) | 第14-15页 |
| 1.3.3 MOCVD基本原理 | 第15页 |
| 1.3.4 脉冲激光沉积 | 第15-16页 |
| 1.4 GaN薄膜生长衬底的选择 | 第16-19页 |
| 1.4.1 α-A1_2O_3衬底 | 第17页 |
| 1.4.2 Si衬底 | 第17页 |
| 1.4.3 SiC衬底 | 第17页 |
| 1.4.4 金属衬底 | 第17-18页 |
| 1.4.5 柔性聚酰亚胺(PI)衬底 | 第18-19页 |
| 1.4.6 涂覆有银纳米线层的聚酰亚胺衬底 | 第19页 |
| 1.5 本文研究的内容及意义 | 第19-21页 |
| 2 实验设备与表征方法 | 第21-30页 |
| 2.1 实验设备 | 第21-23页 |
| 2.1.1 电子回旋共振等离子体技术 | 第21-22页 |
| 2.1.2 ECR-PEMOCVD设备 | 第22-23页 |
| 2.2 薄膜表征方法 | 第23-30页 |
| 2.2.1 薄膜结构分析 | 第23-26页 |
| 2.2.2 薄膜表面形貌的表征 | 第26-30页 |
| 3 在PI衬底上GaN薄膜的低温生长 | 第30-38页 |
| 3.1 实验过程 | 第30页 |
| 3.1.1 对PI进行氮化处理 | 第30页 |
| 3.1.2 GaN低温缓冲层 | 第30页 |
| 3.1.3 不同TMGa流量下生长GaN生长层 | 第30页 |
| 3.1.4 不同温度下生长GaN薄膜 | 第30页 |
| 3.2 不同TMGa流量下在PI衬底上生长GaN生长层 | 第30-33页 |
| 3.2.1 不同TMGa流量下GaN生长层的RHEED分析 | 第30-32页 |
| 3.2.2 不同TMGa流量下GaN生长层的XRD分析 | 第32-33页 |
| 3.3 不同温度下生长GaN生长层 | 第33-38页 |
| 3.3.1 不同温度下GaN生长层的RHEED分析 | 第33页 |
| 3.3.2 不同温度下GaN生长层的XRD分析 | 第33-36页 |
| 3.3.3 不同温度下GaN生长层的AFM分析 | 第36页 |
| 3.3.4 GaN薄膜的EDS分析 | 第36-38页 |
| 4 沉积温度对GaN/AgNWs/PI薄膜的影响 | 第38-46页 |
| 4.1 实验过程 | 第38页 |
| 4.1.1 对AgNWs/PI进行氮化处理 | 第38页 |
| 4.1.2 GaN低温缓冲层 | 第38页 |
| 4.1.3 不同温度下生长GaN薄膜 | 第38页 |
| 4.2 测试与分析 | 第38-46页 |
| 4.2.1 氮化结构分析 | 第38-39页 |
| 4.2.2 缓冲层的RHEED | 第39-40页 |
| 4.2.3 生长层的分析 | 第40-42页 |
| 4.2.4 GaN样品的AFM分析 | 第42-44页 |
| 4.2.5 结论 | 第44-46页 |
| 结论与展望 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-50页 |
| 攻读硕士期间发表的论文情况 | 第50-51页 |
| 致谢 | 第51-53页 |
