| 摘要 | 第3-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第14-39页 |
| 1.1 引言 | 第14-15页 |
| 1.2 GaN的基本结构和性质 | 第15-19页 |
| 1.2.1 GaN晶体结构和极化 | 第15-17页 |
| 1.2.2 GaN物理性质 | 第17-18页 |
| 1.2.3 GaN化学性质 | 第18页 |
| 1.2.4 GaN光电性质 | 第18-19页 |
| 1.3 二维GaN基LED研究现状 | 第19-24页 |
| 1.3.1 光提取效率 | 第20-22页 |
| 1.3.2 内量子效率 | 第22-24页 |
| 1.4 提高LED光提取效率的途径 | 第24-29页 |
| 1.4.1 表面粗糙化 | 第25-26页 |
| 1.4.2 芯片结构技术 | 第26-27页 |
| 1.4.3 分布布拉格反射镜 | 第27页 |
| 1.4.4 光子晶体工艺 | 第27-28页 |
| 1.4.5 纳米柱三维阵列LED | 第28-29页 |
| 1.5 LED芯片制造工艺 | 第29-30页 |
| 1.5.1 LED芯片流程 | 第29-30页 |
| 1.5.2 LED芯片主要性能参数 | 第30页 |
| 1.6 .选题意义和研究内容 | 第30-32页 |
| 1.6.1 选题意义 | 第30-31页 |
| 1.6.2 研究内容 | 第31-32页 |
| 参考文献 | 第32-39页 |
| 第二章 三维GaN基LED的制备和表征方法 | 第39-61页 |
| 2.1 MOCVD系统简介 | 第39-41页 |
| 2.2 聚焦离子束(FocusedIonBeam,FIB)刻蚀系统简介 | 第41-48页 |
| 2.2.1 FIB设备简介 | 第42-44页 |
| 2.2.2 FIB与材料表面的相互作用 | 第44-45页 |
| 2.2.3 FIB加工特点 | 第45页 |
| 2.2.4 FIB应用实例 | 第45-48页 |
| 2.3 实验表征方法简介 | 第48-54页 |
| 2.3.1 扫描电子显微镜(SEM) | 第48-49页 |
| 2.3.2 阴极荧光光谱仪(CL) | 第49页 |
| 2.3.3 透射电子显微镜(TEM) | 第49-50页 |
| 2.3.4 光致发光(PL) | 第50-52页 |
| 2.3.5 芯片测试仪(LEDtester) | 第52-54页 |
| 2.4 3D-FDTD模拟计算方法简介 | 第54-58页 |
| 2.5 本章小结 | 第58页 |
| 参考文献 | 第58-61页 |
| 第三章 纳米柱3D阵列提升LED发光性能的研究 | 第61-75页 |
| 3.1 引言 | 第61-62页 |
| 3.2 纳米柱3D阵列的制备与表征 | 第62-64页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第64-69页 |
| 3.3.1 SEM表面形貌分析 | 第64-65页 |
| 3.3.2 EDS表面成分分析 | 第65-66页 |
| 3.3.3 微区PL光谱分析 | 第66-67页 |
| 3.3.4 光提取效率提升机制理论模拟与分析 | 第67-69页 |
| 3.4 本章小结 | 第69页 |
| 参考文献 | 第69-75页 |
| 第四章 方形3D阵列制备工艺对3DLED芯片光电性能的影响 | 第75-95页 |
| 4.1 引言 | 第75-76页 |
| 4.2 方形3DLED芯片的制备与表征 | 第76-78页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第78-89页 |
| 4.3.1 不同刻蚀束流下SEM表面形貌及光电性能分析 | 第78-81页 |
| 4.3.2 KOH腐蚀前后SEM表面形貌以及光电性能分析 | 第81-85页 |
| 4.3.3 不同刻蚀深度下SEM表面形貌和光电性能分析 | 第85-88页 |
| 4.3.4 不同刻蚀深度下光提取效率机制理论模拟与分析 | 第88-89页 |
| 4.4 本章小结 | 第89-90页 |
| 参考文献 | 第90-95页 |
| 第五章 3D阵列提升GaN基LED芯片光电性能的研究 | 第95-113页 |
| 5.1 引言 | 第95-96页 |
| 5.2 3DLED芯片的制备与表征 | 第96-98页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第98-106页 |
| 5.3.1 条形3D阵列SEM表面形貌及光电性能分析 | 第98-99页 |
| 5.3.2 方形3D阵列SEM表面形貌分析 | 第99-100页 |
| 5.3.3 方形3DLED芯片I-V分析 | 第100-102页 |
| 5.3.4 方形3DLED芯片L-I分析 | 第102-103页 |
| 5.3.5 方形3DLED芯片角分辨EL分析 | 第103-104页 |
| 5.3.6 方形3DLED芯片光提取效率提升机制理论模拟与分析 | 第104-106页 |
| 5.4 本章小结 | 第106页 |
| 参考文献 | 第106-113页 |
| 第六章 V形坑附近量子阱光致发光和LED光输出功率提高机制研究 | 第113-131页 |
| 6.1 引言 | 第113-114页 |
| 6.2 GaN基蓝光LED的制备与表征 | 第114-115页 |
| 6.3 结果与讨论 | 第115-124页 |
| 6.3.1 TEM界面分析 | 第115-116页 |
| 6.3.2 宏观变温PL光谱分析 | 第116-118页 |
| 6.3.3 V形坑附近微区变温PL光谱分析 | 第118-122页 |
| 6.3.4 HRXRD分析 | 第122-123页 |
| 6.3.5 芯片光电性能分析 | 第123-124页 |
| 6.4 本章小结 | 第124-125页 |
| 参考文献 | 第125-131页 |
| 第七章 结论与展望 | 第131-134页 |
| 7.1 结论 | 第131-132页 |
| 7.2 展望 | 第132-134页 |
| 博士学位论文独创性说明 | 第134-135页 |
| 攻读博士期间所取得的科研成果 | 第135-136页 |
| 发表论文 | 第135页 |
| 申请专利 | 第135-136页 |
| 致谢 | 第136页 |
